Vishay / Siliconix SiR186LDP是一款N溝道60V (D-S) MOSFET，它采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。這種技術(shù)為電源和電機控制應用提供了卓越的性能和可靠性。特性技術(shù)先進：SiR186LDP采用TrenchFET? Gen IV技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了先進的溝槽結(jié)構(gòu)和特殊的材料設(shè)計，以......

Vishay / Siliconix SiS176LDN是一款N溝道70V (D-S) MOSFET器件，屬于Vishay Siliconix品牌下的高性能MOSFET產(chǎn)品系列。這款MOSFET采用了先進的硅技術(shù)和封裝設(shè)計，提供了優(yōu)異的電氣性能和可靠性。特性電氣性能：Vds-漏源極擊穿電壓：70 VId-連續(xù)漏極電流：42.3 ARds ......

泰克攜手第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）的合作，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：一、合作背景與目的泰克科技與CASAS的合作，旨在攻克第三代半導體測試難題，推動產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展。作為CASAS的理事單位，泰克科技與高校、科研機構(gòu)緊密合作，站在產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的前沿，參與標準的討論制定，通過領(lǐng)先的測試測量解決方案，解決工程師的困......

關(guān)于650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件在重載時溫度更低的現(xiàn)象，可以從以下幾個方面進行詳細分析：一、測試背景與目的650V 60mΩ SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導體器件，廣泛應用于光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等領(lǐng)域。隨著電動汽車市場的快速增長（據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場......

針對“價格暴漲！功率半導體缺貨加劇，部分交期已達69周！國產(chǎn)替代加速”這一話題，我們可以從以下幾個方面進行詳細分析：一、功率半導體缺貨加劇與價格暴漲1. 缺貨現(xiàn)狀市場需求激增：隨著新能源汽車、光伏、儲能等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對功率半導體的需求急劇增加。特別是IGBT和MOSFET等關(guān)鍵產(chǎn)品，供需矛盾日益突出。交期延長：由于產(chǎn)能不足，部分功率半......

德州儀器（TI）作為一家全球性的半導體公司，自成立以來便致力于設(shè)計、制造、測試和銷售模擬和嵌入式處理芯片，廣泛應用于工業(yè)、汽車、個人電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和企業(yè)系統(tǒng)等市場。其“芯”向中國，科創(chuàng)世界的理念，體現(xiàn)了德州儀器對中國市場的重視以及在科技創(chuàng)新方面的不斷努力。以下是對德州儀器在中國市場的活動及其科技創(chuàng)新的詳細分析：一、中國市場的重要性與布......

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為功率電子系統(tǒng)的核心器件，其選型直接影響電路的效率、可靠性、成本及動態(tài)性能。以下從關(guān)鍵參數(shù)分析、應用場景適配、失效風險規(guī)避三方面，系統(tǒng)闡述MOSFET的選擇邏輯與實用技巧。一、核心參數(shù)解析：MOSFET選型的五大維度1. 電壓參數(shù)：決定器件安全邊界漏源擊穿電壓（VDSS）安全裕量：實際工作電壓......