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PD適配器
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率是一個在電子工程領域廣泛研究和應用的技術趨勢。氮化鎵作為一種新型半導體材料，相比傳統的硅材料，在電源效率提升方面具有顯著優勢。以下是從多個方面詳細闡述氮化鎵如何提高電源效率：一、氮化鎵的物理特性高帶隙能：氮化鎵提供的帶隙能約為3.2電子伏特(eV)，大約是硅材料的3倍。理論上，更高的帶隙意味著在較高溫度下能......
氮化鎵 寄生電容 PD適配...
2021-12-14
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PI推出市場上唯一一款USB PD單芯片方案InnoSwitch3-PD 系列反激式開關IC
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PI（Power Integrations）推出的InnoSwitch3-PD系列反激式開關IC，確實被市場視為唯一一款USB PD單芯片方案，這一產品在電源管理領域具有高度的集成性和創新性。以下是關于InnoSwitch3-PD系列IC的詳細介紹：一、產品特點與優勢高度集成：InnoSwitch3-PD系列IC內部集成了USB-C和PD......
PD適配... 同步整流... NTC電...
2021-09-24
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最新的氮化鎵器件可提供高達100W的功率，并支持從USB PD適配器到家電輔助電源的應用
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1. 氮化鎵（GaN）器件的高功率特性功率提升原理：氮化鎵是一種寬禁帶半導體材料，相較于傳統硅基器件（如MOSFET、IGBT），具有更高的電子遷移率、更低的導通電阻和更快的開關速度。這些特性使得GaN器件在相同尺寸下可承受更高的電壓和電流，從而實現更高的功率密度。100W功率的實現：現代GaN功率器件（如GaN HEMT）通過優化結構設......
氮化鎵器
2020-10-28
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