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碳化硅MOS
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碳化硅MOSFET有什么應用場景？
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碳化硅MOSFET憑借其高溫耐受、高耐壓、低損耗、高開關速度等優勢，在多個對效率、功率密度和可靠性要求較高的領域具有廣泛應用。以下是其典型應用場景及具體分析：一、電動汽車與充電樁電機控制器優勢體現：碳化硅MOSFET的高開關速度和低導通電阻，可降低電機控制器的開關損耗和導通損耗，提高系統的整體效率。例如，在電動汽車行駛過程中，電機控制器需......
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2025-06-27
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碳化硅MOSFET有什么優點和缺點？
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碳化硅（SiC）MOSFET 作為一種新型的功率半導體器件，在許多應用領域展現出獨特的優勢，但也存在一些不足之處，以下是其優缺點的詳細分析：優點1.高溫性能優異耐受高溫：碳化硅材料具有高禁帶寬度（約 3.26eV），相比硅（Si，禁帶寬度約 1.12eV），碳化硅MOSFET 能夠在更高的溫度下穩定工作，通常其最高工作溫度可達 200℃甚......
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2025-06-27
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Onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOS中文資料
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術，提供卓越的開關性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......
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2024-03-04
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術，提供卓越的開關性能。與傳統的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......
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2024-02-28
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開關性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統的優點包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......
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2024-02-28
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onsemi NXH40B120MNQ0全碳化硅MOSFET模塊
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onsemi NXH40B120MNQ0全碳化硅（SiC）MOSFET模塊是一款高性能的電力電子器件，以下是對其的詳細介紹：主要組成：該模塊包含一個雙升壓級，由兩個40mΩ/1200V SiC MOSFET和兩個40A/1200V SiC二極管組成。另外，它還包含兩個額外的50A/1200V旁路整流器，用于浪涌電流限制。特性與優勢：低傳導......
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2022-07-15
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onsemi（安森美）M3S 1200V碳化硅MOSFET的介紹、特性及應用一、介紹onsemi（安森美）推出的M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET是該公司最新一代的碳化硅功率器件，專為提高電動汽車（EV）和能源基礎設施應用的效率而設計。該系列產品不僅繼承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的優勢，還針對特定應用進......
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意法半導體正式推出的第三代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET，是電力電子領域的一項重要技術突破，尤其在電動汽車和工業市場應用中展現出顯著優勢。以下是對該產品的詳細分析：一、產品背景與優勢1. 產品背景意法半導體作為半導體行業的領先企業，一直致力于推動技術創新和產品升級。第三代STPOWER碳化硅MOSFET的推出，是其對高壓、高功......
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Microchip將為Mersen SiC電源協議棧參考設計提供碳化硅MOSFET和數字柵極驅動器
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Microchip與Mersen合作推出的SiC（碳化硅）電源協議棧參考設計，確實涉及Microchip為Mersen提供碳化硅MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和數字柵極驅動器的支持。以下是對此合作的詳細解析：一、合作背景與目的背景：電動汽車、商業運輸、可再生能源和存儲系統設計人員需要提高性能和成本效率的電源管理解決方案。碳化......
雙通道數... 功率逆變... 熔斷器
2021-12-10
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Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數字柵極驅動器，可將開關損耗降低50%，同時加快產品上市時間，現已投入生產
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Microchip推出的首款完全可配置的碳化硅MOSFET數字柵極驅動器，在電力電子領域引起了廣泛關注。這款柵極驅動器憑借其顯著的性能優勢，不僅大幅降低了開關損耗，還加快了產品的上市時間，并已正式投入生產。以下是對該產品的詳細介紹：產品特點完全可配置性：Microchip的這款碳化硅MOSFET數字柵極驅動器具有高度的可配置性，允許系統設......
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安森美半導體在APEC 2021發布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
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安森美半導體在APEC 2021（應用電力電子會議）上確實發布了新的用于電動車充電的完整碳化硅（SiC）MOSFET模塊方案。以下是對該方案的詳細解讀：一、發布背景與目的隨著電動車市場的不斷增長，對充電基礎設施的需求也日益迫切。為了滿足駕駛員對快速充電站網絡的需求，以及緩解“續航里程焦慮癥”，安森美半導體推出了這一新的碳化硅MOSFET模......
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意法半導體發布隔離式柵極驅動器，可安全控制碳化硅MOSFET
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意法半導體發布的隔離式柵極驅動器，確實可以安全控制碳化硅（SiC）MOSFET。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品概述意法半導體推出的STGAP系列隔離式柵極驅動器，旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。其中，STGAP2SiCS是STGAP系列隔離式柵極驅動器的最新產品，可安全地控制碳化硅（SiC）MOSFET，工作電源......
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東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業設備效率和小型化
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東芝推出的新款碳化硅（SiC）MOSFET模塊，在提升工業設備效率和小型化方面取得了顯著進展。以下是對該新款碳化硅MOSFET模塊的詳細介紹：一、產品背景與特點東芝作為半導體和存儲解決方案的領先供應商，一直致力于為工業應用提供高性能的功率器件。此次推出的新款碳化硅MOSFET模塊，是東芝在碳化硅技術領域的又一重要突破。該模塊具有低導通電阻......
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東芝推出的新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET，是針對高效率電源應用需求設計的一款先進功率器件。碳化硅作為第三代半導體材料，相較于傳統硅基器件，具有更優異的電學和熱學性能，特別適用于需要高效率、高功率密度和高溫運行的場景。核心優勢與特性低導通電阻（Rds(on)）碳化硅MOSFET的導通電阻顯著低于硅基IGBT或MOSFET，這意味......
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