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氮化鎵驅(qū)動(dòng)
氮化鎵驅(qū)動(dòng)
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使用氛化鐐(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體器件正在逐漸取代硅基器件，這主要是因?yàn)槭褂梅栈\或碳化硅功率晶體管可以產(chǎn)生更直接、更有效的儲(chǔ)能解決方案。到2025年，氛化鐐和碳化硅市場(chǎng)的總價(jià)值預(yù)計(jì)將超過(guò)30億美元，主要由可再生能源和電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)。我們生活在一個(gè)越來(lái)越多的數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和工業(yè)發(fā)動(dòng)機(jī)正在普及的世界。每個(gè)人都需要改善他們的能源使用。

納微半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片，GaNSense新技術(shù)登場(chǎng)
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納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）在氮化鎵功率芯片領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，其推出的GaNSense新技術(shù)以及基于此技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片，標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在高頻電力電子領(lǐng)域的又一重要突破。以下是對(duì)該技術(shù)的詳細(xì)解析：一、GaNSense新技術(shù)簡(jiǎn)介GaNSense是納微半導(dǎo)體獨(dú)有的新技術(shù)，它集成了自動(dòng)保護(hù)和無(wú)損電流感測(cè)......
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2021-11-22
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