本實用新型公開了一種碳化硅功率晶體管,目的在于,能夠降低器件開態電阻,提升功率特性,具有實用性強優點,結構所采用的技術方案為:包括自下而上依次設置的第二P型歐姆接觸電極,P型SiC襯底,N型SiC緩沖層,N型SiC漂移層和N型SiC電流增強層,N型SiC電流增強層上刻蝕形成有若干個臺階,相鄰臺階之間設有溝槽,臺階的頂端設置有N型SiC歐姆接觸層,N型SiC歐姆接觸層的上部設置有N型歐姆接觸電極,溝槽內設置有P型SiC歐姆接觸區,P型SiC歐姆接觸區與臺階側面和溝槽的底部接觸,位于溝槽底部的P型SiC歐姆接觸區的上部設置有第一P型歐姆接觸電極.