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MOSFET功率模塊
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SiC MOSFET功率模塊能夠幫助提高變換器高溫、高功率密度運行的可行性。同時,對于高溫下可靠運行的驅動電路的需求也隨之增加。由于Si技術的驅動芯片和隔離芯片的耐溫最大不超過125℃,本研究提出了一種使用脈沖變壓器配合基于Si材料的分立器件實現的隔離驅動電路,能夠提供與商業化驅動電路同等的驅動電流與上升下降時間。所提出的分立器件驅動電路經Saber仿真驗證,并于SiC功率模塊上進行雙脈沖實驗評估。

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