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直通硅通孔
直通硅通孔
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一種直通硅穿孔制造方法包括:在硅板中蝕刻多個直通孔.將氧化物襯墊沉積在硅板的表面上并且沉積在直通孔的側壁及底壁上.然后,在直通孔中沉積金屬導體.在可與氧化物襯墊同時使用的另一方案中,將氮化硅鈍化層沉積在基板的硅板的暴露后表面上.

三星：正在開發 8 層 TSV 的 DDR5 內存模塊，容量達 DDR4 兩倍
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三星確實在積極開發具有8層TSV（直通硅通孔）的DDR5內存模塊，這一技術在內存容量和性能上相較于DDR4內存有了顯著提升。以下是對這一技術開發的詳細解讀：一、技術特點8層TSV設計：三星的DDR5內存模塊采用了8層TSV設計，這種設計使得內存模塊的容量能夠達到DDR4內存的兩倍。這意味著，在理論上，單條DDR5內存模塊的容量可以達到非常......
DDR5... 薄晶圓處... 直通硅通...
2021-08-24
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