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薄膜沉積
薄膜沉積
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  在了解溶脫剝離法(lift-off)圖形轉移之前,首先需要了解適合于溶脫剝離法的薄膜沉積技術。沉積薄膜的方法很多,包括物理與化學氣相方法、分子束外延方法、旋轉涂覆或噴涂方法以及電鍍方法。但是常用的是物理與化學氣相沉積。   Membrane Deposition Technique所謂物理氣相沉積(physical vapour deposition,PVD)包括熱蒸發沉積(thermal evaporation)和等離子體濺射沉積(plasma sputtering deposition)。熱蒸發沉積又可按蒸發方法不同,分為電阻蒸發沉積與電子束蒸發沉積。等離子體濺射沉積也可以根據等離子體產生的方法不同,分為直流濺射、射頻濺射和磁控射頻濺射。化學氣相沉積(chemical vapour deposition,CVD)包括低壓型(LPCVD)、常壓型(APCVD)、等離子體增強型(PECVD)和金屬有機化合物型(MOCVD)。近年來一種新型薄膜沉積技術即原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)受到廣泛關注。以上各種薄膜沉積方法的主要特點與區別列于表一中