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溝槽柵極
溝槽柵極
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到目前為止，所有的IGBT設計都有一個共同點平面柵極結構。這種形狀的柵極形成—個前文所述的JFET結構，以及發射極區軟弱的電導調制效應。對于平面柵極的IGBT,載流子的濃度從集電極到發射極之間逐步降低。新一代IGBT的設計目標是保持載流子濃度均勻分布，最好是逐步增加，這樣可以進一步降低通態損耗，而不會影響拖尾電流和關斷損耗，從而導致溝槽型柵極結構的出現。

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2021-07-07
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