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抗輻射
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從專業(yè)的角度來分析，輻射分為內(nèi)輻射和外輻射。內(nèi)輻射就是把輻射源弄到自己的身體里面造成的輻射，外輻射就是輻射源在身體的外面造成的輻射。內(nèi)輻射的原因主要是不慎吸入放射性氣體或粉塵，而這種粉塵以放射性碘居多。 人的甲狀腺會(huì)吸收被人誤吸進(jìn)去的放射性碘，從而使放射源留在體內(nèi)，形成內(nèi)輻射。而甲狀腺吸收的碘的總量是一定的，如果已經(jīng)吸收了足夠的，不含放射性的碘，再去呼吸含放射性碘的氣體的時(shí)候，甲狀腺就不怎么會(huì)吸收了，這樣對(duì)人體的危害就會(huì)小很多。

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英飛凌推出的業(yè)界首款面向航天級(jí)FPGA的符合QML-V標(biāo)準(zhǔn)的抗輻射NOR閃存，是航天領(lǐng)域的一個(gè)重要技術(shù)創(chuàng)新。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)解析：一、產(chǎn)品背景與特點(diǎn)背景：隨著航天技術(shù)的不斷發(fā)展，航天級(jí)可編程邏輯器件（FPGA）對(duì)高可靠性存儲(chǔ)器的需求日益增長(zhǎng)。為滿足這一需求，英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies LLC）推出了......
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瑞薩電子（Renesas Electronics）確實(shí)推出了用于中地球同步軌道（MEO）和地球同步軌道（GEO）衛(wèi)星的高可靠性抗輻射塑料產(chǎn)品組合。這些產(chǎn)品主要面向具有較長(zhǎng)壽命要求的衛(wèi)星任務(wù)，包括中/地球同步軌道任務(wù)以及小型衛(wèi)星（smallsats）和更高密度的電子器件。以下是對(duì)這些產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：產(chǎn)品組合該產(chǎn)品組合主要包括以下四款新器件：......
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Microchip（美國微芯科技公司）的抗輻射MOSFET已經(jīng)獲得了商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案的認(rèn)證，這一成就標(biāo)志著Microchip在抗輻射技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。以下是對(duì)此事的詳細(xì)闡述：一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介Microchip推出的M6? MRH25N12U3是一款抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MO......
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