國內(nèi)光刻機設(shè)備現(xiàn)狀可以從技術(shù)水平、市場份額、企業(yè)競爭力以及面臨的挑戰(zhàn)等方面來進行分析。一、技術(shù)水平國內(nèi)光刻機技術(shù)在近年來取得了顯著進步，但與國際領(lǐng)先水平相比仍存在一定差距。目前，國內(nèi)光刻機的技術(shù)水平主要集中在90nm至180nm的精度范圍內(nèi)，而世界領(lǐng)先水平已經(jīng)達到了5nm甚至3nm。不過，值得注意的是，國內(nèi)企業(yè)在后道光刻機領(lǐng)域已經(jīng)取得了重......

一、事件核心：三星董事長李在镕赴ASML總部，爭奪EUV光刻機優(yōu)先供貨權(quán)事件背景：EUV光刻機：極紫外光刻機（Extreme Ultraviolet Lithography）是7nm及以下先進制程芯片制造的核心設(shè)備，全球僅荷蘭ASML公司能夠生產(chǎn)；產(chǎn)能稀缺：ASML年產(chǎn)量僅約60臺，單臺價格超1.5億美元，且需提前2-3年預(yù)訂；競爭格局：......