鎵敏光電致力于研發和生產基于新型寬禁帶半導體材料的高性能紫外探測器。寬禁帶半導體是近年來國內外重點研究和發展的新型第三代半導體材料，其代表材料包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導體，具有禁帶寬度大、導熱性能好、電子飽和漂移速度高以及化學穩定性優等特點，用于耐高溫、高效能的高頻大功率器件以及工作于紫外波段的光探測器件，具有顯著的材料性能優勢。目前，鎵敏光電已建成完整的器件工藝線和高標準的器件檢測實驗室，并在國內首先批量供應多型號高靈敏度GaN和SiC紫外探測器產品。鎵敏光電生產的紫外探測器具有光電流高、暗電流低、響應速度快等系列性能優勢，其技術指標已全面超越國外進口產品，具有極高的性價比，可廣泛應用于環境監測、紫外固化、工業過程監測、食品衛生、飲用水消毒、和火災報警等諸多領域。