嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體元器件尤其是IGBT研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，注冊(cè)資金1.2億元。總部位于浙江嘉興，占地106畝。在國(guó)內(nèi)和歐洲均設(shè)有研發(fā)中心，是國(guó)內(nèi)IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司已成功開(kāi)發(fā)近600種IGBT模塊產(chǎn)品，電壓等級(jí)涵蓋100V～3300V，電流等級(jí)涵蓋10A～3600A。產(chǎn)品已被成功應(yīng)用于新能源汽車(chē)、變頻器、逆變焊機(jī)、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。