簡介

　　集成電路(IC)中采用的電容器基本上有兩種：MOS電容器和p-n結電容器。

　　MOS電容器的一個極板是襯底上的重摻雜區[如發射區]，另一個極板是頂層的金屬膜，中間可用熱生長的SiO2膜作為介質層;MOS電容器的電容量與介質層的介電常數成正比，為了增大電容量，希望采用較大介電常數的介質材料[SiO2、Si3N4和Ta2O5的介電常數分別為3.9、8和22];MOS電容器的電容量基本上與電壓無關，并且其串聯電阻小，又幾乎不存在漏電流。

　　p-n結電容器一般采用n+-p型式，并且需要加反向偏壓(以防pn正偏而漏電)，則其電容量與電壓有關;而且電容量通常不能制作得很大，其串聯電阻也要比MOS電容器的大得多。

　　電容器

　　電容器，通常簡稱其容納電荷的本領為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是‘裝電的容器’，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調諧回路，能量轉換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導體(包括導線)間都構成一個電容器。

　　電容與電容器不同。電容為基本物理量，符號C，單位為F(法拉)。

　　通用公式C=Q/U平行板電容器專用公式：板間電場強度E=U/d ，電容器電容決定式 C=εS/4πkd

　　隨著電子信息技術的日新月異，數碼電子產品的更新換代速度越來越快，以平板電視(LCD和PDP)、筆記本電腦、數碼相機等產品為主的消費類電子產品產銷量持續增長，帶動了電容器產業增長。