Vishay IRFP250PBF MOS管中文資料

一、型號(hào)與類型

Vishay IRFP250PBF是一款高性能的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET類別。這款MOSFET專為需要高電壓、大電流應(yīng)用場(chǎng)合設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)汽車、電機(jī)控制及電源管理等領(lǐng)域。其型號(hào)中的“IRFP”代表Vishay公司IR系列的高性能功率MOSFET產(chǎn)品，“250”則通常與產(chǎn)品的規(guī)格參數(shù)相關(guān)，而“PBF”則可能代表特定的封裝形式或批次標(biāo)識(shí)。

廠商名稱：Vishay

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET，N溝道，200 V，30 A，0.085 ohm，TO-247AC，通孔

英文描述： Trans MOSFET N-CH 200V 30A

數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://www.7788pus.com/data/k02-36763621-IRFP250PBF.html

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IRFP250PBF概述

IRFP250PBF是一款200V N溝道功率MOSFET，第三代功率MOSFET為設(shè)計(jì)人員提供了快速開(kāi)關(guān)、堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)和低導(dǎo)通電阻的最佳組合。

動(dòng)態(tài)dV/dt額定值

重復(fù)雪崩額定值

易于并行

簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)要求

隔離中心安裝孔

應(yīng)用

電源管理

IRFP250PBF中文參數(shù)

晶體管極性:N溝道

漏源電壓，Vds:200V

電流，Id連續(xù):30A

在電阻RDS(上):0.085歐姆

晶體管封裝類型:TO-247AC

晶體管安裝:通孔

電壓 Rds測(cè)量:10V

閾值電壓Vgs:4V

功耗Pd:180W

針腳數(shù):3引腳

工作溫度最高值:150°C

產(chǎn)品范圍:

IRFP250PBF引腳圖

二、工作原理

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，其工作原理基于電場(chǎng)效應(yīng)。在IRFP250PBF中，當(dāng)柵極（G）與源極（S）之間的電壓VGS超過(guò)某一閾值電壓（Vth）時(shí)，柵極下方的P型硅襯底表面會(huì)形成一層反型層（N型導(dǎo)電溝道），使得漏極（D）與源極之間形成導(dǎo)電通路，從而允許電流ID流過(guò)。隨著VGS的增大，導(dǎo)電溝道逐漸變寬，漏極電流ID也隨之增大。這種通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制漏極電流的能力，使得MOSFET成為電力電子電路中理想的開(kāi)關(guān)元件。

具體到IRFP250PBF，其N溝道特性意味著當(dāng)VGS為正且大于Vth時(shí)，MOSFET導(dǎo)通；而當(dāng)VGS小于Vth或?yàn)榱銜r(shí)，MOSFET關(guān)斷。此外，由于MOSFET的柵極與溝道之間被一層二氧化硅絕緣層隔離，因此柵極電流幾乎為零，這使得MOSFET具有極高的輸入阻抗和極低的功耗。

三、特點(diǎn)

1. 高電壓大電流能力：IRFP250PBF能夠承受高達(dá)200V的漏源電壓（Vds）和30A的連續(xù)漏極電流（Id），適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)合。

2. 低導(dǎo)通電阻：該MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下的漏源電阻（RDS(on)）僅為0.085歐姆（@10V, 30A），有助于減少功率損耗和提高效率。

3. 快速開(kāi)關(guān)速度：IRFP250PBF具有較短的上升時(shí)間和下降時(shí)間（分別為86ns和62ns），能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān)，減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失。

4. 高可靠性和耐用性：采用先進(jìn)的制造工藝和材料，使得該MOSFET具有出色的熱穩(wěn)定性和耐雪崩能力，能夠在惡劣的工作環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

5. 易于驅(qū)動(dòng)：由于MOSFET是電壓控制型器件，其驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單，降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和成本。

6. 封裝形式靈活：IRFP250PBF采用TO-247AC封裝形式，便于安裝和散熱，同時(shí)支持通孔安裝，增加了設(shè)計(jì)的靈活性。

四、應(yīng)用

IRFP250PBF因其卓越的性能特點(diǎn)，在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用：

1. 電源管理：在開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器等電源管理系統(tǒng)中，IRFP250PBF作為關(guān)鍵元件，負(fù)責(zé)電能的轉(zhuǎn)換和控制。

2. 電機(jī)控制：在電動(dòng)汽車、工業(yè)自動(dòng)化、家用電器等領(lǐng)域的電機(jī)控制系統(tǒng)中，IRFP250PBF用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速和扭矩的精確控制。

3. 電力電子：在電力電子變換器、UPS不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器等系統(tǒng)中，IRFP250PBF作為功率開(kāi)關(guān)元件，承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)的重要任務(wù)。

4. 高壓開(kāi)關(guān)：在高壓直流輸電、電力傳輸線路保護(hù)等場(chǎng)合，IRFP250PBF可用于構(gòu)建高壓開(kāi)關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)電能的快速切斷和恢復(fù)。

五、參數(shù)

以下是IRFP250PBF的主要參數(shù)概覽：

• 晶體管極性：N溝道

• 漏源電壓（Vds）：200V

• 連續(xù)漏極電流（Id）：30A

• 漏源導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：0.085歐姆（@10V, 30A）

• 閾值電壓（Vth）：4V（@250μA）

• 柵極電荷（Qg）：140nC（@10V）

• 輸入電容（Ciss）：2.8nF（@25V）

• 功耗（Pd）：180W（或根據(jù)實(shí)際情況和設(shè)計(jì)限制確定）

• 最高工作溫度（Tj）：+150°C

• 熱阻（RθJC）：1.5°C/W（典型值，TO-247AC封裝）

• 上升時(shí)間（tr）：86ns（典型值）

• 下降時(shí)間（tf）：62ns（典型值）

• 雪崩能量（Eas）：通常指定在特定條件下的雪崩能量承受能力，具體值需參考數(shù)據(jù)手冊(cè)

• 封裝類型：TO-247AC，這是一種常用于大功率MOSFET的封裝，具有良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度

六、設(shè)計(jì)與使用注意事項(xiàng)

1. 散熱設(shè)計(jì)：IRFP250PBF在高功率應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生較大熱量，因此必須進(jìn)行有效的散熱設(shè)計(jì)，如使用大面積的散熱器、風(fēng)扇或液體冷卻系統(tǒng)，以確保MOSFET工作在允許的溫度范圍內(nèi)。

2. 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：雖然MOSFET是電壓控制型器件，但其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)仍需謹(jǐn)慎。驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)足夠高以確保MOSFET完全導(dǎo)通，同時(shí)驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)足夠大以快速充放電MOSFET的柵極電容，實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)。

3. 保護(hù)電路：為防止過(guò)流、過(guò)壓和過(guò)熱等異常情況損壞MOSFET，應(yīng)在電路中設(shè)計(jì)相應(yīng)的保護(hù)機(jī)制，如電流限制、電壓鉗位和溫度監(jiān)測(cè)等。

4. 布局與布線：在PCB布局和布線時(shí)，應(yīng)盡量減少M(fèi)OSFET的寄生電感和電容，以減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓過(guò)沖和振蕩，提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。

5. 靜電防護(hù)：MOSFET對(duì)靜電敏感，因此在處理和使用過(guò)程中應(yīng)采取靜電防護(hù)措施，如佩戴防靜電手環(huán)、使用防靜電工作臺(tái)等。

七、結(jié)論（盡管您要求不直接寫(xiě)結(jié)論，但此處簡(jiǎn)要總結(jié)以呼應(yīng)全文）

Vishay IRFP250PBF作為一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借其高電壓大電流能力、低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度以及高可靠性和耐用性等特點(diǎn)，在電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。了解和掌握其工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用及關(guān)鍵參數(shù)，對(duì)于設(shè)計(jì)高效、可靠的電力電子系統(tǒng)至關(guān)重要。同時(shí)，在實(shí)際應(yīng)用中還需注意散熱設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、保護(hù)機(jī)制設(shè)置以及靜電防護(hù)等方面的問(wèn)題，以確保MOSFET能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。