WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH中文資料


WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH是一種常見的閃存存儲設備,具有廣泛的應用。本文將對該型號的類型、工作原理、特點、應用以及參數進行詳細介紹,以幫助讀者更好地了解這一設備。
中文描述: NAND閃存1G-bit Serial NAND flash,3V
英文描述: 1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size and set Buffer Read Mode as default
W25N01GVZEIG中文參數
制造商: | Winbond | 電源電壓-最小: | 2.7 V |
產品種類: | NAND閃存 | 電源電壓-最大: | 3.6 V |
安裝風格: | SMD/SMT | 電源電流—最大值: | 35 mA |
封裝 / 箱體: | WSON-8 | 最小工作溫度: | - 40 ℃ |
系列: | W25N01GV | 最大工作溫度: | + 85 ℃ |
存儲容量: | 1 Gbit | 有源讀取電流(最大值): | 35 mA |
接口類型: | SPI | 商標: | Winbond |
組織: | 128 M x 8 | 最大時鐘頻率: | 104 MHz |
定時類型: | Asynchronous | 濕度敏感性: | Yes |
數據總線寬度: | 8 bit | 產品類型: | NAND Flash |
W25N01GVZEIG概述
W25N01GV(1G位)串行SLC NAND閃存為空間、引腳和功耗有限的系統提供了存儲解決方案。W25N SpiFlash系列采用流行的SPI接口和傳統的大容量NAND非易失性存儲器空間。它們非常適合將代碼影射到RAM,直接從雙/四SPI(XIP)執行代碼,以及存儲語音、文本和數據。該器件采用2.7V至3.6V單電源供電,工作電流低至25mA,待機電流為10μA。
W25N SpiFlash系列的所有器件都采用節省空間的封裝,這在過去是典型的NAND閃存無法做到的。W25N01GV 1G位存儲器陣列分為65,536個可編程頁面,每個頁面2,048字節。可以使用2,048字節內部緩沖器中的數據一次性對整個頁面進行編程。頁面可以64個為一組進行擦除(128KB塊擦除)。W25N01GV有1,024個可擦除塊。
W25N01GV支持標準串行外設接口(SPI)、雙/四輸入/輸出SPI:串行時鐘、芯片選擇、串行數據I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。W25N01GV支持高達104MHz的SPI時鐘頻率,使用快速讀取雙通道/四通道I/O指令時,雙通道I/O的等效時鐘頻率為208MHz(104MHz x 2),四通道I/O的等效時鐘頻率為416MHz(104MHz x 4)。
W25N01GV提供全新的連續讀取模式,只需一條讀取指令即可高效訪問整個存儲器陣列。保持引腳、寫保護引腳和可編程寫保護提供了進一步的控制靈活性。此外,該器件還支持JEDEC標準的制造商和器件ID、一個2048字節的唯一ID頁、一個2048字節的參數頁和十個2048字節的OTP頁。為了提供更好的NAND閃存可管理性,W25N01GV還提供了用戶可配置的內部ECC和壞塊管理功能。
W25N01GVZEIG TR規格參數
參數名稱 | 屬性值 |
廠商名稱 | Winbond(華邦電子) |
產品種類 | NAND閃存 |
安裝風格 | SMD/SMT |
封裝 / 箱體 | WSON-8 |
系列 | W25N01GV |
存儲容量 | 1 Gbit |
接口類型 | SPI |
組織 | 128 M x 8 |
數據總線寬度 | 8 bit |
電源電壓-最小 | 2.7 V |
電源電壓-最大 | 3.6 V |
電源電流—最大值 | 35 mA |
最小工作溫度 | - 40 C |
最大工作溫度 | + 85 C |
封裝 | Cut Tape |
封裝 | Reel |
最大時鐘頻率 | 104 MHz |
工廠包裝數量 | 4000 |
1. 型號類型
WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH是一種NAND閃存型號,具體型號標識為W25N01GVZEIG。它是一種非易失性存儲器,可用于存儲數據和程序代碼。
2. 工作原理
NAND閃存通過存儲電荷在浮動柵中來存儲數據。其工作原理基于在晶體管浮動柵之間的電子堆積。當電子被注入浮動柵時,它們改變了柵與源/漏之間的閾值電壓,從而表示1或0的邏輯狀態。
寫入數據時,通過在浮動柵中注入電子或者清除電子來改變存儲單元的狀態。讀取數據時,浮動柵的電荷被檢測,以確定存儲單元的狀態。這種基于電荷積累的機制使得NAND閃存具有快速的寫入和擦除速度。
3. 特點
高速寫入和擦除:NAND閃存具有快速的寫入和擦除速度,使其適用于需要頻繁數據更新的應用。
高密度存儲:NAND閃存可以實現高密度的存儲,使其在存儲容量要求較高的應用中得到廣泛應用。
低功耗:相比于傳統的機械硬盤,NAND閃存具有較低的功耗,有助于延長電池壽命。
良好的耐久性:NAND閃存具有較長的使用壽命和良好的耐久性,可滿足長期數據存儲的需求。
4. 應用
WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH在各種領域都有廣泛的應用,包括但不限于:
嵌入式系統:用于存儲固件、操作系統和應用程序代碼。
移動設備:用于存儲手機、平板電腦和便攜式音頻/視頻設備的數據。
汽車電子:用于存儲汽車信息娛樂系統、導航系統和車輛控制單元的數據。
工業控制:用于存儲傳感器數據、控制參數和日志記錄。
5. 參數
存儲容量:1Gb(Gigabit)
工作電壓:2.7V至3.6V
工作溫度范圍:-40°C至85°C
封裝類型:8引腳SON(Small Outline No lead)
接口類型:SPI(Serial Peripheral Interface)
以上是WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH的一些基本參數,這些參數可以根據具體的應用需求進行調整和配置。
通過本文的介紹,讀者可以更深入地了解WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH的型號類型、工作原理、特點、應用和參數,從而更好地應用于實際項目中。
責任編輯:David
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