可控硅開關二極管，也稱為晶閘管，是一種具有四層P1-N1-P2-N2結構的半導體器件，通過控制端施加觸發電壓來實現其導通和關斷。其工作原理主要基于PN結的特性和控制極的作用。

在初始狀態下，可控硅開關二極管處于關斷狀態，即其內部PN結處于截止狀態，此時電流無法流通。然而，當在控制極G上施加一個適當的觸發電壓時，這個觸發電壓會在P2基區產生足夠的電子和空穴對，這些載流子會在電場的作用下向PN結移動。當它們到達PN結時，會破壞PN結的平衡狀態，使得PN結由截止變為導通。

一旦PN結導通，可控硅開關二極管便進入了導通狀態，此時即使撤去控制極上的觸發電壓，可控硅仍然保持導通狀態，這是由于正反饋機制的作用。具體來說，當可控硅導通后，電流通過PN結會產生熱量，使得PN結的溫度升高，進而降低了PN結的電阻，進一步促進電流的流通，這種正反饋效應使得可控硅保持導通狀態。

需要注意的是，可控硅的導通和關斷不僅與控制極的觸發電壓有關，還與其陽極和陰極之間的電壓有關。當陽極和陰極之間的電壓達到一定值時，即使沒有觸發電壓，可控硅也可能自行導通，這被稱為可控硅的擊穿現象。因此，在實際應用中，需要合理設計電路和控制參數，以防止可控硅的誤動作。

總的來說，可控硅開關二極管的工作原理是通過控制極施加觸發電壓來改變PN結的導通狀態，從而實現電流的精確控制。其正反饋機制和擊穿現象是理解和應用可控硅時需要特別注意的方面。