Vishay的多功能30v n通道TrenchFET Gen V功率MOSFET采用3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封裝，采用源翻轉(zhuǎn)技術。SiSD5300DN與PowerPAK 1212-8S占用相同的空間，導通電阻降低18%以提高功率密度，而其源翻轉(zhuǎn)技術將熱阻降低了+63°C/W至+56°C/W。此外，MOSFET的FOM比上一代器件提高了35%，從而降低了傳導和開關損耗，從而節(jié)省了功率轉(zhuǎn)換應用中的能量。

PowerPAK1212-F源翻轉(zhuǎn)技術顛覆了通常的地墊和源墊的比例，擴展了地墊的面積，提供更有效的散熱路徑，從而促進更冷的運行。同時，PowerPAK 1212-F最大限度地減少了開關面積，有助于減少跡線噪聲的影響。特別是在PowerPAK 1212-F封裝中，源墊尺寸增加了10倍，從0.36 mm增加到4.13 mm，從而使熱性能得到相應的改善。PowerPAK1212-F的中心柵極設計也簡化了單層PCB上多個器件的并行化。

特性

• 3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封裝中的源翻轉(zhuǎn)技術

• 導通電阻:0.71 毫歐在10v

• 導通電阻倍柵極電荷:42 m*nC

• 服務器

• 邊設備

• 超級計算機

• 平板電腦

• 割草機和清潔機器人

• 無線基站