Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC) fet是基于獨(dú)特的“級(jí)聯(lián)編碼”電路配置的1200V, 23毫歐器件。在這種配置中，一個(gè)常開的SiC JFET與一個(gè)Si MOSFET一起封裝，產(chǎn)生一個(gè)常關(guān)的SiC FET器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換Si igbt, Si超級(jí)結(jié)器件或SiC mosfet時(shí)需要最小的重新設(shè)計(jì)。這些器件采用節(jié)省空間的D2PAK-7L封裝(實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化組裝)，具有超低柵極電荷和卓越的反向恢復(fù)特性。Qorvo UF4SC120023B7S G4 SiC fet是切換感性負(fù)載和需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用的理想選擇。

特性

• 23mW典型導(dǎo)通電阻

• +175°C最高工作溫度

• 卓越的243nC反向恢復(fù)

• 低1.2V體二極管

• 低37.8nC柵極電荷

• 4.8V典型閾值電壓允許0V到15V驅(qū)動(dòng)

• 低固有電容

• HBM 2級(jí)和CDM C3級(jí)ESD保護(hù)

• D(2)PAK-7L封裝，用于更快的開關(guān)，干凈的柵極波形

• 無鉛，無鹵，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用程序

• 電動(dòng)汽車充電

• 光伏逆變器

• 開關(guān)電源

• 功率因數(shù)校正模塊

• 感應(yīng)加熱

示意圖