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電源和電機驅動應用中兩種MOS冗余驅動方案分析

來源: 維庫電子網
2021-11-24
類別:電源管理
eye 33
文章創建人 拍明

原標題:電源和電機驅動應用中兩種MOS冗余驅動方案分析

電源和電機驅動應用中兩種MOS冗余驅動方案分析

在電源和電機驅動領域,功率MOS作為核心開關元件,其可靠性直接決定了系統的整體性能。然而,在過壓、過流、過載等極端工況下,單個MOS管極易因熱失控、擊穿或機械應力導致失效,進而引發驅動板失效甚至起火風險。為解決這一問題,本文深入剖析雙管冗余驅動與四管冗余驅動兩種方案,結合典型元器件選型與電路設計,揭示其故障隔離機制、性能優化路徑及適用場景,為高可靠性驅動系統設計提供理論支撐與實踐指導。

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一、冗余驅動方案的核心需求與失效模式分析

1.1 冗余驅動的必要性

在電機驅動系統中,功率MOS管需承受高電壓、大電流及高頻開關應力,其失效模式主要包括:

  • 短路失效:DS極間擊穿、GS極間擊穿或GDS極間擊穿,導致功率回路直接導通,高壓傳導至低壓側;

  • 開路失效:GS極開路或DS極開路,導致功率回路斷開,系統失去控制能力。

傳統單MOS驅動方案在單點失效時,無法實現故障隔離,可能引發連鎖反應。冗余驅動通過多MOS并聯與獨立驅動通道設計,確保在單MOS失效時,系統仍能維持正常功能,避免災難性故障。

1.2 典型失效模式與影響

以雙管冗余驅動為例,不同失效模式對系統的影響如下:

  • DS短路:若MOS管DS極短路,由于驅動通道隔離設計,高壓不會傳導至低壓側,系統功能正常;

  • GS短路:若上橋臂MOS管GS極短路,高壓可能損壞對應驅動模塊,但自舉二極管可阻斷高壓傳導,系統其他部分仍能正常工作;

  • GS/DS開路:若MOS管GS或DS極開路,功率回路斷開,系統進入安全關斷狀態,避免進一步損壞。

四管冗余驅動方案通過加倍MOS管與驅動通道數量,進一步提升了系統對開路失效的容錯能力,確保在任意單MOS失效時,系統功能不受影響。

二、雙管冗余驅動方案詳解

2.1 電路架構與關鍵元器件選型

雙管冗余驅動方案的核心在于兩個獨立驅動通道與并聯MOS管的設計。典型元器件選型如下:

2.1.1 驅動IC:UCC21225A

  • 型號:UCC21225A(TI公司)

  • 關鍵參數

    • 原邊供電電壓:3V-18V

    • 副邊供電電壓:6.5V-25V

    • 驅動延遲時間:18ns

    • CMTI(共模瞬態抗擾度):100V/ns

    • 驅動能力:4A/6A

    • 隔離等級:2500Vrms(UL1577標準)

  • 功能與優勢

    • 支持兩通道低邊驅動、兩通道高邊驅動及半橋驅動,通過配置DT引腳可工作在overlap模式;

    • 輸入與輸出隔離,驅動通道間隔離,確保在單通道失效時,故障不會傳導至其他通道;

    • 高CMTI能力,有效抵抗高頻開關噪聲干擾。

2.1.2 MOS管:IPW70R190CF(英飛凌)

  • 型號:IPW70R190CF

  • 關鍵參數

    • 最大漏-源電壓(VDSS):75V

    • 導通電阻(RDS(on)):19mΩ(@VGS=10V)

    • 封裝類型:TO-263-3L(表面貼裝式塑料封裝)

  • 功能與優勢

    • 低導通電阻,降低開關損耗,提升系統效率;

    • 高壓耐受能力,適用于中小功率直流無刷電機控制器;

    • 表面貼裝封裝,便于緊湊型PCB布局。

2.2 電路設計與工作原理

雙管冗余驅動方案的典型電路設計如下:

  • 驅動供電:輸入通道供電通過電阻和二極管連接到驅動供電軌,確保在單通道失效時,其他通道仍能正常工作;

  • 自舉電路:當下管導通時,驅動電壓軌通過自舉二極管為自舉電容充電,自舉電容上的電壓為上橋臂驅動模塊供電,自舉二極管擊穿電壓需大于母線電壓;

  • PWM信號濾波:PWM輸入信號經過RC濾波網絡,避免輸入干擾信號影響驅動穩定性。

2.3 性能優化與局限性

雙管冗余驅動方案在提升系統可靠性的同時,也存在以下局限性:

  • 控制邏輯復雜:上橋臂驅動供電對最小同占空比和上電時序有嚴格要求,需精確設計時序控制電路;

  • 信號延遲差異:由于MOS管本身特性不對稱,驅動IC的兩個通道信號傳輸延遲存在差異,可能導致MOS開通/關斷特性不一致,引發震蕩,降低PWM頻率上限,增加開關損耗;

  • 導通損耗加倍:MOS管數量加倍,導致導通損耗加倍,需通過優化散熱設計或選用更低RDS(on)的MOS管來緩解;

  • 無故障診斷:方案缺乏故障診斷功能,無法定位具體失效MOS管,增加維護難度。

三、四管冗余驅動方案詳解

3.1 電路架構與關鍵元器件選型

四管冗余驅動方案在雙管冗余驅動的基礎上,進一步加倍MOS管與驅動通道數量,實現更高的故障容錯能力。典型元器件選型如下:

3.1.1 驅動IC:UCC21225A(擴展應用)

UCC21225A在四管冗余驅動方案中,仍作為核心驅動IC,通過擴展外圍電路實現四通道獨立驅動。其優勢在于:

  • 高隔離等級與CMTI能力,確保在多通道并行工作時,故障隔離效果顯著;

  • 支持多種驅動模式,便于靈活設計電路。

3.1.2 MOS管:IPW70R190CF(擴展應用)

IPW70R190CF在四管冗余驅動方案中,通過并聯四顆MOS管實現功率冗余。其優勢在于:

  • 低導通電阻與高壓耐受能力,確保在多MOS管并聯時,系統效率與可靠性不受影響;

  • 表面貼裝封裝,便于緊湊型PCB布局,降低系統體積。

3.2 電路設計與工作原理

四管冗余驅動方案的典型電路設計如下:

  • 驅動供電:采用獨立驅動供電軌,確保在單通道失效時,其他通道仍能正常工作;

  • 自舉電路:通過擴展自舉二極管與自舉電容數量,實現上橋臂驅動模塊的獨立供電;

  • PWM信號濾波:采用多級RC濾波網絡,確保在多通道并行工作時,PWM信號穩定性。

3.3 性能優化與優勢

四管冗余驅動方案在提升系統可靠性的同時,具有以下優勢:

  • 故障容錯能力更強:在任意單MOS管失效時,系統功能不受影響,確保電機驅動的連續性;

  • 故障隔離效果顯著:通過獨立驅動通道與隔離設計,確保在單通道失效時,故障不會傳導至其他通道;

  • 系統效率更高:通過優化MOS管并聯數量與驅動IC選型,降低導通損耗與開關損耗,提升系統效率。

四、冗余驅動方案的比較與選型建議

4.1 雙管冗余驅動與四管冗余驅動的比較


比較項雙管冗余驅動方案四管冗余驅動方案
故障容錯能力在單MOS管失效時,系統功能正常,但開路失效時,系統功能異常在任意單MOS管失效時,系統功能正常,故障容錯能力更強
控制邏輯復雜度較高,需精確設計時序控制電路更高,需擴展驅動通道與外圍電路
信號延遲差異存在,可能導致震蕩,降低PWM頻率上限更顯著,需通過優化驅動IC選型與電路設計來緩解
導通損耗加倍,需通過優化散熱設計或選用更低RDS(on)的MOS管來緩解更高,需通過優化MOS管并聯數量與驅動IC選型來降低
故障診斷能力無,無法定位具體失效MOS管仍無,但可通過擴展外圍電路實現故障診斷功能
系統成本較低,適用于對成本敏感的應用場景較高,適用于對可靠性要求極高的應用場景


4.2 選型建議

  • 對成本敏感的應用場景:推薦選用雙管冗余驅動方案,通過優化驅動IC選型與電路設計,實現成本與可靠性的平衡;

  • 對可靠性要求極高的應用場景:推薦選用四管冗余驅動方案,通過加倍MOS管與驅動通道數量,實現更高的故障容錯能力;

  • 需故障診斷功能的應用場景:可通過擴展外圍電路,如增加電流傳感器與故障診斷芯片,實現故障定位與報警功能。

五、冗余驅動方案的應用案例與優化方向

5.1 應用案例:電動汽車電機驅動系統

在電動汽車電機驅動系統中,冗余驅動方案可顯著提升系統的可靠性與安全性。以四管冗余驅動方案為例,通過并聯四顆IPW70R190CF MOS管與選用UCC21225A驅動IC,實現電機驅動的高效與可靠。在單MOS管失效時,系統仍能維持正常功能,避免因驅動失效導致的車輛失控風險。

5.2 優化方向

  • 驅動IC選型優化:選用更高隔離等級、更低驅動延遲與更高CMTI能力的驅動IC,提升系統抗干擾能力與故障隔離效果;

  • MOS管并聯數量優化:通過仿真與實驗,確定最優MOS管并聯數量,平衡系統效率、成本與可靠性;

  • 散熱設計優化:采用高效散熱材料與散熱結構,降低MOS管與驅動IC的工作溫度,提升系統壽命與可靠性;

  • 故障診斷功能擴展:通過增加電流傳感器與故障診斷芯片,實現故障定位與報警功能,提升系統維護效率。

六、結論

本文深入剖析了電源和電機驅動應用中雙管冗余驅動與四管冗余驅動兩種方案,結合典型元器件選型與電路設計,揭示了其故障隔離機制、性能優化路徑及適用場景。雙管冗余驅動方案通過兩個獨立驅動通道與并聯MOS管的設計,實現了在單MOS管失效時的系統功能正常;四管冗余驅動方案則通過加倍MOS管與驅動通道數量,進一步提升了系統對開路失效的容錯能力。在實際應用中,需根據系統對成本、可靠性、故障診斷功能的需求,選擇合適的冗余驅動方案,并通過優化驅動IC選型、MOS管并聯數量、散熱設計及故障診斷功能,實現系統性能與可靠性的最大化。未來,隨著半導體技術與電路設計技術的不斷發展,冗余驅動方案將在電源和電機驅動領域發揮更加重要的作用,推動高可靠性驅動系統設計的創新與發展。

責任編輯:David

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