原標題：ASML 將于今年推出透光率超 90% 的 EUV 防護膜，提高光刻機效率

ASML（Advanced Semiconductor Materials Lithography）確實曾計劃在某一時期推出透光率超過90%的EUV（極紫外）防護膜，以提高光刻機的效率。以下是對此事的詳細歸納：

一、防護膜的特性與用途

• 透光率：ASML計劃推出的這款EUV防護膜透光率可達90.6%，相較于之前版本的防護膜（透光率約78%），這是一個顯著的提升。

• 用途：此防護膜主要用于安裝在EUV光路和晶圓制造空間之間，主要功能是防塵，以保護光刻機內部組件免受污染。

二、研發背景與市場需求

• 技術挑戰：EUV光刻技術是現代半導體制造中的關鍵工藝之一，但由于EUV光線的特殊性質（難以被反射和折射），制造過程中的損耗率非常大。因此，提高防護膜的透光率成為了一個重要的技術挑戰。

• 市場需求：三星和臺積電等半導體制造巨頭對高透光率的防護膜有迫切需求，因為使用這種防護膜可以提高生產效率，并降低晶圓表面被污染的風險。他們曾表示，只有當防護膜的透光率超過90%時，才會考慮將其應用到生產線上。

三、研發與生產計劃

• 研發合作：這款防護膜是ASML與Teradyne（泰瑞達）聯合研發的，由日本三井化學代工生產。該防護膜已經通過了400瓦的測試，證明了其在實際應用中的可靠性。

• 生產計劃：ASML曾計劃在某一時期開始生產這款高透光率的EUV防護膜，以滿足市場需求。

四、對光刻機效率的影響

• 效率提升：高透光率的防護膜能夠減少EUV光線在傳輸過程中的損耗，從而提高光刻機的效率。這有助于半導體制造商提高生產效率和產品質量，降低生產成本。

• 技術革新：隨著EUV光刻技術的不斷發展，高透光率的防護膜將成為未來光刻機的重要組成部分。ASML的這一創新將推動整個半導體制造行業的進步和發展。

然而，需要注意的是，雖然ASML曾計劃推出這款高透光率的EUV防護膜，但具體的推出時間和市場應用情況可能因各種因素而有所變化。因此，在獲取最新信息時，建議直接參考ASML的官方公告或相關報道。

此外，ASML還在不斷研發新一代的光刻機技術，如NA EUV光刻機，以支持更小尺寸的芯片制造。這些新技術的推出將進一步推動半導體制造行業的發展和進步。