W25Q256FV中文手冊(cè)

第一章 產(chǎn)品概述

1.1 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

W25Q256FV是華邦電子（Winbond）推出的一款高性能、大容量的串行NOR Flash存儲(chǔ)器，采用SPI（Serial Peripheral Interface）接口協(xié)議。該芯片具有256Mbit（32MB）的存儲(chǔ)容量，適用于需要大容量非易失性存儲(chǔ)的嵌入式系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、消費(fèi)電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。W25Q256FV支持標(biāo)準(zhǔn)SPI、雙SPI（Dual SPI）、四SPI（Quad SPI）以及快速并行接口（QPI）等多種通信模式，能夠顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率，滿足高速讀寫需求。

1.2 主要特性

• 大容量存儲(chǔ)：256Mbit（32MB）的存儲(chǔ)空間，滿足大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。

• 高速接口：支持標(biāo)準(zhǔn)SPI、雙SPI、四SPI以及QPI模式，最高時(shí)鐘頻率可達(dá)104MHz，雙SPI模式下等效時(shí)鐘頻率為208MHz，四SPI模式下等效時(shí)鐘頻率為416MHz。

• 低功耗設(shè)計(jì)：工作電壓范圍為2.7V至3.6V，激活電流低至4mA，待機(jī)電流僅為1μA，適合電池供電設(shè)備。

• 靈活的擦除和編程操作：支持頁(yè)編程（Page Program）、扇區(qū)擦除（Sector Erase）、塊擦除（Block Erase）以及芯片擦除（Chip Erase），擦除/編程周期超過(guò)100,000次。

• 數(shù)據(jù)保護(hù)功能：內(nèi)置硬件寫保護(hù)（WP）引腳和軟件寫保護(hù)機(jī)制，支持頂部或底部陣列保護(hù)，防止意外數(shù)據(jù)修改。

• 高可靠性：數(shù)據(jù)保持時(shí)間超過(guò)20年，支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備ID、SFDP寄存器、64位唯一序列號(hào)和三個(gè)256字節(jié)安全寄存器。

• 多種封裝形式：提供WSON 8x6mm、SOIC 300mil、TFBGA 8x6mm等多種封裝形式，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

1.3 應(yīng)用領(lǐng)域

• 嵌入式系統(tǒng)：如智能家居設(shè)備、工業(yè)控制器等，需要可靠的存儲(chǔ)解決方案。

• 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備：為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理功能，支持設(shè)備的數(shù)據(jù)采集和遠(yuǎn)程管理。

• 消費(fèi)電子：如智能手機(jī)、平板電腦等，提供高速的數(shù)據(jù)讀寫能力。

• 汽車電子：在汽車電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

第二章 技術(shù)規(guī)格

2.1 電氣特性

• 工作電壓范圍：2.7V至3.6V。

• 時(shí)鐘頻率：

• 標(biāo)準(zhǔn)SPI模式：最高104MHz。

• 雙SPI模式：等效時(shí)鐘頻率208MHz（104MHz x 2）。

• 四SPI模式：等效時(shí)鐘頻率416MHz（104MHz x 4）。

• 電流消耗：

• 激活電流：4mA（典型值）。

• 待機(jī)電流：1μA（典型值）。

• 數(shù)據(jù)保持時(shí)間：超過(guò)20年。

• 擦除/編程周期：超過(guò)100,000次。

2.2 存儲(chǔ)器組織

• 存儲(chǔ)容量：256Mbit（32MB）。

• 頁(yè)面大小：256字節(jié)。

• 扇區(qū)大小：4KB（16頁(yè)）。

• 塊大小：32KB（128頁(yè)）或64KB（256頁(yè)）。

• 可編程區(qū)域：整個(gè)芯片可劃分為8,192個(gè)扇區(qū)或512個(gè)塊。

2.3 接口協(xié)議

• 標(biāo)準(zhǔn)SPI接口：支持CLK、/CS、DI、DO、/WP、/HOLD引腳。

• 雙SPI接口：支持CLK、/CS、IO0、IO1引腳。

• 四SPI接口：支持CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3引腳。

• QPI接口：支持雙時(shí)鐘指令周期四路外設(shè)接口，進(jìn)一步優(yōu)化數(shù)據(jù)傳輸效率。

2.4 封裝形式

• WSON 8x6mm：8引腳，尺寸為6mm x 8mm，適用于緊湊型設(shè)計(jì)。

• SOIC 300mil：16引腳，標(biāo)準(zhǔn)小外形集成電路封裝，適用于自動(dòng)化組裝。

• TFBGA 8x6mm：24引腳，薄型四方扁平無(wú)引線封裝，適用于高密度電路板設(shè)計(jì)。

第三章 引腳定義與功能

3.1 引腳分布

以WSON 8x6mm封裝為例，引腳分布如下：

• 1：/CS（Chip Select，片選信號(hào)）。

• 2：DO（Serial Data Output，串行數(shù)據(jù)輸出）。

• 3：/WP（Write Protect，寫保護(hù)）。

• 4：GND（Ground，地線）。

• 5：DI（Serial Data Input，串行數(shù)據(jù)輸入）。

• 6：CLK（Serial Clock，串行時(shí)鐘）。

• 7：/HOLD（Hold，保持信號(hào)）。

• 8：VCC（Power Supply，電源電壓）。

3.2 引腳功能描述

• /CS（片選信號(hào)）：低電平有效，用于選擇和激活芯片進(jìn)行通信。

• DO（串行數(shù)據(jù)輸出）：用于數(shù)據(jù)從芯片到主控器的傳輸。

• /WP（寫保護(hù)）：高電平時(shí)禁止對(duì)芯片的寫操作，保護(hù)數(shù)據(jù)安全。

• GND（地線）：接地引腳。

• DI（串行數(shù)據(jù)輸入）：用于數(shù)據(jù)從主控器到芯片的傳輸。

• CLK（串行時(shí)鐘）：提供數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)鐘信號(hào)。

• /HOLD（保持信號(hào)）：低電平時(shí)暫停芯片的操作，高電平時(shí)恢復(fù)操作。

• VCC（電源電壓）：為芯片提供工作電壓，范圍為2.7V至3.6V。

第四章 操作與命令集

4.1 標(biāo)準(zhǔn)SPI命令集

W25Q256FV支持多種標(biāo)準(zhǔn)SPI命令，用于讀取、寫入和擦除操作。以下是部分常用命令：

• 讀取狀態(tài)寄存器（Read Status Register）：命令代碼為0x05，用于讀取芯片的狀態(tài)信息。

• 寫入使能（Write Enable）：命令代碼為0x06，用于啟用寫入操作。

• 頁(yè)編程（Page Program）：命令代碼為0x02，用于向指定頁(yè)面寫入數(shù)據(jù)。

• 扇區(qū)擦除（Sector Erase）：命令代碼為0x20，用于擦除指定扇區(qū)的數(shù)據(jù)。

• 塊擦除（Block Erase）：命令代碼為0xD8（32KB塊）或0x52（64KB塊），用于擦除指定塊的數(shù)據(jù)。

• 芯片擦除（Chip Erase）：命令代碼為0xC7或0x60，用于擦除整個(gè)芯片的數(shù)據(jù)。

4.2 雙SPI與四SPI命令集

雙SPI和四SPI模式通過(guò)增加數(shù)據(jù)引腳的數(shù)量，顯著提升了數(shù)據(jù)傳輸速率。以下是部分常用命令：

• 快速讀取雙I/O（Fast Read Dual I/O）：命令代碼為0xBB，通過(guò)IO0和IO1引腳同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)。

• 快速讀取四I/O（Fast Read Quad I/O）：命令代碼為0xEB，通過(guò)IO0、IO1、IO2和IO3引腳同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)。

• 雙I/O頁(yè)編程（Dual I/O Page Program）：命令代碼為0xA2，通過(guò)雙I/O模式寫入數(shù)據(jù)。

• 四I/O頁(yè)編程（Quad I/O Page Program）：命令代碼為0x32，通過(guò)四I/O模式寫入數(shù)據(jù)。

4.3 QPI命令集

QPI模式通過(guò)雙時(shí)鐘指令周期進(jìn)一步優(yōu)化數(shù)據(jù)傳輸效率。以下是部分常用命令：

• QPI模式進(jìn)入（Enter QPI）：命令代碼為0x38，將芯片切換至QPI模式。

• QPI模式退出（Exit QPI）：命令代碼為0xFF，將芯片切換回標(biāo)準(zhǔn)SPI模式。

• QPI快速讀取（QPI Fast Read）：命令代碼為0xEB，通過(guò)QPI模式讀取數(shù)據(jù)。

• QPI頁(yè)編程（QPI Page Program）：命令代碼為0x32，通過(guò)QPI模式寫入數(shù)據(jù)。

第五章 編程與應(yīng)用示例

5.1 初始化與配置

在使用W25Q256FV之前，需要進(jìn)行初始化與配置。以下是初始化流程：

1. 復(fù)位芯片：通過(guò)/CS引腳將芯片復(fù)位。

2. 讀取設(shè)備ID：發(fā)送讀取設(shè)備ID命令（0x90或0x9F），讀取制造商ID和設(shè)備ID，確認(rèn)芯片型號(hào)。

3. 配置工作模式：根據(jù)需求選擇標(biāo)準(zhǔn)SPI、雙SPI、四SPI或QPI模式。

4. 啟用寫保護(hù)：根據(jù)需求配置/WP引腳，啟用或禁用寫保護(hù)功能。

5.2 數(shù)據(jù)讀取示例

以下是使用標(biāo)準(zhǔn)SPI模式讀取數(shù)據(jù)的示例代碼（以STM32為例）：

#include "stm32f10x.h"

#include "w25q256fv.h"



void SPI_Init(void) {

// 初始化SPI接口

SPI_InitTypeDef SPI_InitStructure;

SPI_InitStructure.SPI_Direction = SPI_Direction_2Lines_FullDuplex;

SPI_InitStructure.SPI_Mode = SPI_Mode_Master;

SPI_InitStructure.SPI_DataSize = SPI_DataSize_8b;

SPI_InitStructure.SPI_CPOL = SPI_CPOL_Low;

SPI_InitStructure.SPI_CPHA = SPI_CPHA_1Edge;

SPI_InitStructure.SPI_NSS = SPI_NSS_Soft;

SPI_InitStructure.SPI_BaudRatePrescaler = SPI_BaudRatePrescaler_256;

SPI_InitStructure.SPI_FirstBit = SPI_FirstBit_MSB;

SPI_InitStructure.SPI_CRCPolynomial = 7;

SPI_Init(SPI1, &SPI_InitStructure);

SPI_Cmd(SPI1, ENABLE);

}



uint8_t W25Q256FV_ReadByte(uint32_t addr) {

uint8_t data;

// 發(fā)送讀取命令和地址

W25Q256FV_CS_LOW();

SPI_Transfer(0x03); // 讀取命令

SPI_Transfer((addr >> 16) & 0xFF);

SPI_Transfer((addr >> 8) & 0xFF);

SPI_Transfer(addr & 0xFF);

data = SPI_Transfer(0xFF); // 讀取數(shù)據(jù)

W25Q256FV_CS_HIGH();

return data;

}

5.3 數(shù)據(jù)寫入示例

以下是使用標(biāo)準(zhǔn)SPI模式寫入數(shù)據(jù)的示例代碼：

void W25Q256FV_WriteByte(uint32_t addr, uint8_t data) {

// 啟用寫入

W25Q256FV_CS_LOW();

SPI_Transfer(0x06); // 寫入使能命令

W25Q256FV_CS_HIGH();

// 發(fā)送頁(yè)編程命令和地址

W25Q256FV_CS_LOW();

SPI_Transfer(0x02); // 頁(yè)編程命令

SPI_Transfer((addr >> 16) & 0xFF);

SPI_Transfer((addr >> 8) & 0xFF);

SPI_Transfer(addr & 0xFF);

SPI_Transfer(data); // 寫入數(shù)據(jù)

W25Q256FV_CS_HIGH();

// 等待寫入完成

while (W25Q256FV_ReadStatusRegister() & 0x01);

}

5.4 扇區(qū)擦除示例

以下是擦除指定扇區(qū)的示例代碼：

void W25Q256FV_EraseSector(uint32_t addr) {

// 啟用寫入

W25Q256FV_CS_LOW();

SPI_Transfer(0x06); // 寫入使能命令

W25Q256FV_CS_HIGH();

// 發(fā)送扇區(qū)擦除命令和地址

W25Q256FV_CS_LOW();

SPI_Transfer(0x20); // 扇區(qū)擦除命令

SPI_Transfer((addr >> 16) & 0xFF);

SPI_Transfer((addr >> 8) & 0xFF);

SPI_Transfer(addr & 0xFF);

W25Q256FV_CS_HIGH();

// 等待擦除完成

while (W25Q256FV_ReadStatusRegister() & 0x01);

}

第六章 高級(jí)功能與應(yīng)用

6.1 數(shù)據(jù)保護(hù)與安全

W25Q256FV提供了多種數(shù)據(jù)保護(hù)與安全功能：

• 硬件寫保護(hù)：通過(guò)/WP引腳啟用或禁用寫保護(hù)功能，防止意外數(shù)據(jù)修改。

• 軟件寫保護(hù)：通過(guò)狀態(tài)寄存器配置寫保護(hù)位，進(jìn)一步增強(qiáng)數(shù)據(jù)安全性。

• 頂部或底部陣列保護(hù)：支持對(duì)芯片的頂部或底部陣列進(jìn)行單獨(dú)保護(hù)，適用于分區(qū)存儲(chǔ)場(chǎng)景。

• 安全寄存器：提供三個(gè)256字節(jié)的安全寄存器，用于存儲(chǔ)敏感數(shù)據(jù)或密鑰。

6.2 壞塊管理與可靠性

W25Q256FV通過(guò)以下機(jī)制確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性：

• 壞塊檢測(cè)：在擦除或編程操作前，芯片會(huì)自動(dòng)檢測(cè)壞塊，避免數(shù)據(jù)寫入失敗。

• 壞塊替換：對(duì)于檢測(cè)到的壞塊，可以通過(guò)軟件方式進(jìn)行替換，確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的連續(xù)性。

• 數(shù)據(jù)保持能力：數(shù)據(jù)保持時(shí)間超過(guò)20年，確保長(zhǎng)期存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。

• 擦寫耐久度：擦除/編程周期超過(guò)100,000次，滿足高頻率寫入場(chǎng)景的需求。

6.3 連續(xù)讀取與XIP功能

W25Q256FV支持連續(xù)讀取模式，允許高效的內(nèi)存訪問(wèn)。通過(guò)8個(gè)時(shí)鐘的指令開銷即可讀取24位地址，支持真正的XIP（就地執(zhí)行）操作。這對(duì)于需要直接從Flash執(zhí)行代碼的應(yīng)用場(chǎng)景（如嵌入式系統(tǒng)啟動(dòng)）非常有用。

6.4 溫度范圍與適應(yīng)性

W25Q256FV的工作溫度范圍為-40°C至85°C，適用于極端環(huán)境下的應(yīng)用。無(wú)論是工業(yè)控制設(shè)備還是汽車電子系統(tǒng)，都能在寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。

第七章 總結(jié)與展望

7.1 總結(jié)

W25Q256FV是一款高性能、大容量、低功耗的串行NOR Flash存儲(chǔ)器，具有豐富的接口模式和強(qiáng)大的保護(hù)機(jī)制。其256Mbit的存儲(chǔ)容量、多種高速通信模式以及靈活的擦除和編程操作，使其成為嵌入式系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的理想存儲(chǔ)解決方案。通過(guò)深入理解并熟練運(yùn)用W25Q256FV的各項(xiàng)功能，開發(fā)者可以顯著提升系統(tǒng)的存儲(chǔ)能力和效率。

7.2 展望

隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和5G技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)器的需求日益增長(zhǎng)。W25Q256FV憑借其高性能、低功耗和高可靠性，將在更多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。未來(lái)，華邦電子可能會(huì)推出更高容量、更快速度的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，進(jìn)一步滿足市場(chǎng)需求。同時(shí)，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，存儲(chǔ)器的接口協(xié)議和功能也將不斷優(yōu)化，為開發(fā)者提供更加便捷和高效的存儲(chǔ)解決方案。