Onsemi NLAS4599DFT2G模擬開關(guān)芯片中文資料


Onsemi NLAS4599DFT2G模擬開關(guān)芯片中文資料
一、型號與類型
NLAS4599DFT2G是Onsemi(安森美)公司生產(chǎn)的一款高性能模擬開關(guān)芯片。該芯片屬于模擬開關(guān)IC類別,具體型號為單刀雙擲(SPDT)模擬開關(guān),適用于需要高速、低導(dǎo)通電阻和低功耗的應(yīng)用場景。NLAS4599DFT2G以其先進的技術(shù)和卓越的性能,在電子行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用。
廠商名稱:Onsemi
元件分類:模擬開關(guān)芯片
中文描述: 模擬開關(guān),1放大器,SPDT,5.5 ohm,2V至5.5V,SOT-363,6引腳
英文描述: Low Voltage Single Supply SPDT Analog Switch
在線購買:立即購買
NLAS4599DFT2G概述
NLAS4599DFT2G是一款采用硅門CMOS技術(shù)制造的單刀雙擲(SPDT)高級高速CMOS模擬開關(guān)。它實現(xiàn)了高速傳播延遲和低導(dǎo)通電阻,同時保持低功率耗散。該開關(guān)控制可能在整個電源范圍內(nèi)(從VCC到GND)變化的模擬和數(shù)字電壓。該器件的設(shè)計使導(dǎo)通電阻(RON)比典型的CMOS模擬開關(guān)的RON低得多,而且對輸入電壓的影響更加線性。通道選擇輸入與標準CMOS輸出兼容。通道選擇輸入結(jié)構(gòu)在施加0至5.5V的電壓時提供保護,而不考慮電源電壓。這種輸入結(jié)構(gòu)有助于防止由電源電壓引起的器件破壞--輸入/輸出電壓不匹配、電池備份、熱插入等。
快速的開關(guān)和傳播速度
先斷后續(xù)的電路
低功率耗散
在通道選擇輸入上提供二極管保護
在輸入電壓上提高了線性度,降低了導(dǎo)通電阻
38個FET芯片的復(fù)雜性
應(yīng)用
工業(yè)
NLAS4599DFT2G中文參數(shù)
制造商: | onsemi | 電源電壓-最大: | 5.5 V |
產(chǎn)品種類: | 模擬開關(guān) IC | 運行時間—最大值: | 14 ns |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT | 空閑時間—最大值: | 8 ns |
封裝 / 箱體: | SOT-363-6 | 最小工作溫度: | - 55 C |
通道數(shù)量: | 1 Channel | 最大工作溫度: | + 125 C |
配置: | 1 x SPDT | 系列: | NLAS4599 |
導(dǎo)通電阻—最大值: | 25 Ohms | Pd-功率耗散: | 200 mW |
電源電壓-最小: | 2 V |
NLAS4599DFT2G引腳圖
二、工作原理
NLAS4599DFT2G采用硅門CMOS技術(shù)制造,其核心工作原理基于CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)。CMOS技術(shù)以其低功耗和高抗干擾性在模擬和數(shù)字電路設(shè)計中得到廣泛應(yīng)用。該芯片通過控制CMOS晶體管的開關(guān)狀態(tài),實現(xiàn)對模擬和數(shù)字信號的切換。
具體而言,NLAS4599DFT2G內(nèi)部集成了復(fù)雜的場效應(yīng)晶體管(FET)網(wǎng)絡(luò),這些FET以特定的方式連接,形成單刀雙擲(SPDT)開關(guān)結(jié)構(gòu)。通過控制輸入引腳上的電壓信號,可以改變FET的導(dǎo)電狀態(tài),從而控制信號流向不同的通道。當輸入信號為高電平時,開關(guān)將信號導(dǎo)向一個通道;當輸入信號為低電平時,則導(dǎo)向另一個通道。
三、特點
高速傳播延遲:NLAS4599DFT2G實現(xiàn)了極低的傳播延遲,確保信號在開關(guān)過程中能夠快速傳輸,減少信號失真和延遲。
低導(dǎo)通電阻:該芯片設(shè)計有較低的導(dǎo)通電阻(RON),這有助于減少信號在通過開關(guān)時的能量損失,提高信號傳輸效率。
低功耗:采用先進的CMOS技術(shù),NLAS4599DFT2G在保持高性能的同時,實現(xiàn)了低功耗特性,有助于延長設(shè)備的使用壽命并減少能源消耗。
寬電源電壓范圍:該芯片支持從2V至5.5V的電源電壓范圍,使其能夠適用于多種不同的電源環(huán)境。
高線性度:NLAS4599DFT2G的導(dǎo)通電阻隨輸入電壓的變化更加線性,有助于保持信號傳輸?shù)臏蚀_性和穩(wěn)定性。
過壓保護:通道選擇輸入結(jié)構(gòu)在施加0至5.5V的電壓時提供保護,防止因電源電壓波動或輸入/輸出電壓不匹配導(dǎo)致的器件損壞。
快速切換和傳播速度:芯片具備快速切換和傳播速度,適用于需要高速切換的應(yīng)用場景。
二極管保護:在通道選擇輸入上提供二極管保護,進一步增強芯片的可靠性和耐用性。
四、應(yīng)用
NLAS4599DFT2G因其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用特性,在多個領(lǐng)域都有重要應(yīng)用,包括但不限于:
工業(yè)控制:在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,NLAS4599DFT2G可用于信號切換、信號隔離和信號路由,提高系統(tǒng)的可靠性和靈活性。
通信設(shè)備:在通信設(shè)備中,該芯片可用于信號處理和信號切換,確保信號在傳輸過程中的穩(wěn)定性和準確性。
汽車電子:在汽車電子系統(tǒng)中,NLAS4599DFT2G可用于傳感器信號切換、音頻信號處理等,提高汽車電子系統(tǒng)的性能和可靠性。
醫(yī)療設(shè)備:在醫(yī)療設(shè)備中,該芯片可用于精密儀器和設(shè)備的信號處理和切換,確保醫(yī)療設(shè)備的準確性和可靠性。
消費電子產(chǎn)品:在智能手機、平板電腦、音頻設(shè)備等消費電子產(chǎn)品中,NLAS4599DFT2G可用于音頻信號切換、麥克風(fēng)信號切換等,提升用戶體驗。
五、參數(shù)
NLAS4599DFT2G的主要參數(shù)如下:
制造商:Onsemi(安森美)
電源電壓-最大:5.5V
電源電壓-最小:2V
產(chǎn)品種類:模擬開關(guān)IC
運行時間—最大值:14ns
空閑時間—最大值:8ns
封裝/箱體:SOT-363-6
最小工作溫度:-55°C
最大工作溫度:+125°C
通道數(shù)量:1 Channel
配置:1 x SPDT
導(dǎo)通電阻—最大值:25 Ohms
Pd-功率耗散:200 mW
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
電路數(shù):1
多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:2:1
-3db 帶寬:220MHz
電荷注入:3pC
溝道電容 (CS(off),CD(off)):10pF, 10pF
ESD 保護:≥ 2kV(HBM,人體模型),≥ 200V(MM,機器模型),提供出色的靜電放電保護能力,確保芯片在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
泄漏電流(Ioff):典型值低于1nA,在低導(dǎo)通狀態(tài)下幾乎不消耗電流,進一步降低功耗。
導(dǎo)通/關(guān)斷時間:快速導(dǎo)通和關(guān)斷時間保證了信號切換的快速響應(yīng),適用于需要高速切換的應(yīng)用場景。
溫度系數(shù):導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較小,確保了在不同溫度環(huán)境下信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性。
封裝類型:SOT-363-6,這是一種小型、表面貼裝的封裝形式,適用于空間受限的應(yīng)用場合,同時提供了良好的散熱性能和電氣連接可靠性。
引腳配置:通常包括輸入/選擇引腳、輸出引腳、電源引腳和接地引腳,具體引腳配置可參考芯片的數(shù)據(jù)手冊。
可靠性:經(jīng)過嚴格的可靠性測試,包括溫度循環(huán)、濕度敏感性、機械沖擊等,確保芯片在惡劣環(huán)境條件下的長期穩(wěn)定運行。
環(huán)保標準:符合RoHS(限制有害物質(zhì))指令要求,無鉛封裝,環(huán)保且安全。
六、設(shè)計注意事項
在使用NLAS4599DFT2G進行設(shè)計時,需要注意以下幾點:
電源設(shè)計:確保電源電壓在芯片規(guī)定的范圍內(nèi),避免過高或過低的電壓對芯片造成損害。同時,應(yīng)注意電源的穩(wěn)定性,減少電源噪聲對信號傳輸?shù)挠绊憽?/span>
接地處理:良好的接地設(shè)計是確保電路穩(wěn)定性和可靠性的關(guān)鍵。在布局和布線時,應(yīng)盡量縮短接地路徑,避免形成環(huán)路和耦合干擾。
信號完整性:由于NLAS4599DFT2G主要用于信號切換,因此信號完整性的保持尤為重要。在設(shè)計中應(yīng)注意信號的阻抗匹配、減少信號反射和串擾等問題。
熱管理:雖然NLAS4599DFT2G功耗較低,但在高負載或高環(huán)境溫度下仍需注意熱管理。確保芯片周圍有足夠的散熱空間,避免過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。
靜電防護:在生產(chǎn)和測試過程中,應(yīng)嚴格遵守靜電防護規(guī)范,使用防靜電設(shè)備和工具,避免靜電對芯片造成損害。
七、總結(jié)
NLAS4599DFT2G作為Onsemi公司的一款高性能模擬開關(guān)芯片,以其高速、低導(dǎo)通電阻、低功耗和寬電源電壓范圍等特點,在工業(yè)控制、通信設(shè)備、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備和消費電子產(chǎn)品等多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。通過了解其工作原理、特點、應(yīng)用和參數(shù),設(shè)計人員可以更好地選擇和使用該芯片,為產(chǎn)品的高性能、高可靠性和長壽命提供有力保障。在未來的發(fā)展中,隨著電子技術(shù)的不斷進步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,NLAS4599DFT2G等高性能模擬開關(guān)芯片將繼續(xù)發(fā)揮重要作用,推動電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新和發(fā)展。
責任編輯:David
【免責聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內(nèi)容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。