ON安森美BC846BLT1G NPN硅通用雙極晶體管中文資料


ON安森美BC846BLT1G NPN硅通用雙極晶體管中文資料
型號類型
ON安森美(ON Semiconductor)是一家全球領先的半導體供應商,其產品線廣泛覆蓋模擬、邏輯、電源管理、離散及定制器件等領域。BC846BLT1G是ON安森美生產的一款NPN硅通用雙極晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT),屬于小信號晶體管范疇,特別適用于低功耗、表面貼裝應用。該型號晶體管以其高性能、可靠性和廣泛的應用場景而備受青睞。
廠商名稱:ON安森美
元件分類:三極管
中文描述: 晶體管,NPN,最大直流集電極電流100 mA,SOT-23封裝,100 MHz,3引腳
英文描述: Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
數據手冊:http://www.7788pus.com/data/k02-24020801-BC846BLT1G.html
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BC846BLT1G概述
BC846BLT1G是一款NPN硅通用雙極晶體管,設計用于線性和開關應用。低功耗表面貼裝應用的理想選擇。
感性負載保護
轉向邏輯
極性反轉保護
ESD等級-人體模型>4000V
ESD等級-機器型號>400V
應用
音頻,工業
BC846BLT1G中文參數
晶體管類型 | NPN | 引腳數目 | 3 |
最大直流集電極電流 | 100 mA | 每片芯片元件數目 | 1 |
最大集電極-發射極電壓 | 65 V | 高度 | 0.94mm |
封裝類型 | SOT-23 | 最高工作溫度 | +150 °C |
安裝類型 | 表面貼裝 | 長度 | 2.9mm |
最大功率耗散 | 300 mW | 尺寸 | 0.94 x 2.9 x 1.3mm |
最小直流電流增益 | 200 | 最大基極-發射極飽和電壓 | 0.9 V |
晶體管配置 | 單 | 最低工作溫度 | -55 °C |
最大集電極-基極電壓 | 80 V | 最大集電極-發射極飽和電壓 | 0.6 V |
最大發射極-基極電壓 | 6 V | 寬度 | 1.3mm |
最大工作頻率 | 100 MHz |
BC846BLT1G引腳圖
工作原理
雙極晶體管(BJT)是一種三端電子器件,由兩個PN結(即發射結和集電結)構成,具有電流放大作用。BC846BLT1G作為NPN型BJT,其工作原理可以簡述如下:
發射極(Emitter, E):發射極是BJT的輸入端之一,注入多數載流子(對于NPN型BJT是電子)。當在基極(Base, B)和發射極之間施加正向偏壓時,發射結導通,大量電子從發射極注入到基區。
基極(Base, B):基極很薄,且摻雜濃度較低,對注入的電子有控制作用。通過調整基極電流的大小,可以控制從發射極注入到基區的電子數量,進而控制集電極電流的大小。
集電極(Collector, C):集電極是BJT的輸出端,收集由發射極注入并通過基區擴散到集電區的電子。集電極電流是基極電流的β倍(β為電流放大系數,也稱直流電流增益hFE),從而實現電流的放大。
特點
BC846BLT1G作為ON安森美的一款優質NPN硅通用雙極晶體管,具有以下顯著特點:
低功耗:BC846BLT1G專為低功耗應用設計,最大功率耗散僅為300mW,適合在需要節能和長壽命的應用場景中使用。
高頻特性:具有優秀的高頻性能,最高工作頻率可達100MHz,適用于高頻放大和振蕩電路。
高電壓容忍度:能夠承受較高的電壓,集電極-發射極最大電壓VCEO為65V,集電極-基極最大電壓VCBO為80V,適合在寬電壓范圍內工作。
快速開關:具有快速的開關速度,適用于需要快速響應的數字邏輯電路和開關電路。
溫度穩定性:具有良好的溫度穩定性,能夠在-55℃至+150℃的寬溫度范圍內穩定工作,確保電路在不同環境條件下的可靠運行。
ESD保護:具備較高的靜電放電(ESD)保護能力,人體模型(HBM)ESD等級大于4000V,機器模型(MM)ESD等級大于400V,有效防止靜電損壞。
應用
BC846BLT1G憑借其出色的性能和特點,廣泛應用于各種電子電路中,包括但不限于以下幾個方面:
放大器電路:BC846BLT1G在音頻放大器和射頻放大器中表現出色。其高電流增益和低噪聲特性使得它能夠在音頻放大器中有效放大音頻信號,提供清晰、高質量的音頻輸出。同時,在射頻放大器中,它能夠穩定地放大射頻信號,保持信號的完整性和準確性。
開關電路:由于其快速的開關速度和可靠性,BC846BLT1G常用于數字邏輯電路中的開關元件。例如,在邏輯門、計數器、觸發器等電路中,它能夠快速響應控制信號,實現電路的通斷控制。
電源電路:在電源電路中,BC846BLT1G可用作穩壓器的關鍵元件。通過控制其工作狀態,可以實現對電壓的穩定調節,確保電源輸出的穩定性和可靠性。這對于需要精確電壓控制的電子設備尤為重要。
振蕩電路:BC846BLT1G的高頻特性和穩定性使其成為振蕩電路的理想選擇。在射頻振蕩器和時鐘電路中,它能夠產生穩定的振蕩信號,為通信系統和無線電設備提供可靠的信號源。
傳感器接口:在傳感器接口電路中,BC846BLT1G可以放大和處理傳感器輸出的微弱信號,使其與微控制器或其他數字電路進行通信和控制。例如,在溫度傳感器接口電路中,它能夠放大傳感器輸出的信號,以便準確測量溫度并進行相應的控制。
參數
以下是BC846BLT1G NPN硅通用雙極晶體管的主要參數列表:
晶體管類型:NPN
引腳數目:3
最大直流集電極電流(Ic):100mA
最大集電極-發射極電壓(VCEO):65V
最大集電極-基極電壓(VCBO):80V
最大發射極-基極電壓(VEBO):5V
直流電流增益(hFE):最小值通常為100至數百不等,具體值依生產批次和測試條件而定,典型值可能在200-400之間。
最大功耗(PD):300mW。這是晶體管在指定條件下能夠安全耗散的最大功率,超過此值可能導致晶體管過熱并損壞。
過渡頻率(fT):約100MHz。過渡頻率是衡量晶體管高頻性能的一個重要參數,它表示晶體管在高頻信號下保持增益的能力。
噪聲系數(NF):低噪聲系數是音頻和射頻應用中的一個重要特性,雖然BC846BLT1G主要面向通用應用,但其設計也考慮了噪聲抑制,以滿足一定范圍內的低噪聲要求。
封裝類型:BC846BLT1G通常采用SOT-23封裝,這是一種小型的表面貼裝封裝,非常適合自動化生產和空間受限的應用。
工作溫度范圍:從-55℃至+150℃。這表明晶體管可以在極寬的溫度范圍內正常工作,適用于各種環境條件。
熱阻(θJA):約200℃/W。熱阻是衡量晶體管散熱性能的一個關鍵參數,它表示單位功耗下晶體管結點到周圍環境的溫度差。
存儲溫度:雖然工作溫度范圍有限,但晶體管的存儲溫度范圍通常更寬,以應對運輸和長期存儲過程中的極端條件。
設計與使用注意事項
電流限制:在使用BC846BLT1G時,必須確保集電極電流不超過其最大額定值(Ic_max),以防止晶體管過熱或損壞。
電壓保護:應確保施加在晶體管上的電壓不超過其最大額定電壓(VCEO、VCBO、VEBO),以防止PN結擊穿。
散熱考慮:在高功率應用中,應考慮晶體管的散熱問題,可能需要添加散熱片或使用其他散熱措施。
靜態工作點設置:在放大器應用中,正確設置晶體管的靜態工作點(即基極電流和集電極電壓)對于確保電路性能至關重要。
防靜電處理:雖然BC846BLT1G具有一定的ESD保護能力,但在處理時仍應采取防靜電措施,如佩戴防靜電手環、使用防靜電包裝等。
焊接與組裝:在焊接SOT-23封裝的晶體管時,應確保焊接溫度和時間控制在推薦范圍內,以避免損壞晶體管或影響其性能。
總結
BC846BLT1G作為ON安森美生產的一款NPN硅通用雙極晶體管,以其低功耗、高頻特性、高電壓容忍度、快速開關以及良好的溫度穩定性等特點,在電子電路設計中得到了廣泛應用。從放大器電路到開關電路,從電源電路到振蕩電路,BC846BLT1G都展現出了其卓越的性能和可靠性。通過合理的設計和使用,可以充分發揮其優勢,為電子設備提供穩定、高效的信號放大和控制功能。
責任編輯:David
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