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Infineon IRLML2402TRPBF MOS管中文資料

來源:
2024-07-03
類別:基礎知識
eye 15
文章創建人 拍明芯城

Infineon IRLML2402TRPBF MOS管中文資料

一、型號類型

IRLML2402TRPBF 是 Infineon 公司生產的一種 N 溝道功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)。MOSFET 是一種常用于電子設備的半導體器件,因其高效能、高輸入阻抗和低功耗特性,被廣泛應用于各種電子電路中。

IRLML2402TRPBF圖片

廠商名稱:Infineon

元件分類:MOS管

中文描述: 功率場效應管,MOSFET,N通道,20 V,1.2 A,0.25 ohm,SOT-23,表面安裝

英文描述: N-Channel MOSFET,1.2 A,20 V HEXFET,3-Pin SOT-23 Infineon

數據手冊:http://www.7788pus.com/data/k02-24423558-IRLML2402TRPBF.html

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IRLML2402TRPBF概述

IRLML2402PBF是一款N溝道HEXFET?功率MOSFET,開關損耗更低,可靠性更高。Infineon利用先進的加工技術實現了單位硅面積的極低導通電阻。這一優點與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計相結合,為設計者提供了用于各種應用的極其高效和可靠的器件。

業界標準引腳排列

MSL1,消費產品認證

低輪廓(<1.1mm)

快速開關速度

超低導通電阻

IRLML2402TRPBF中文參數

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝/箱體:SOT-23-3

晶體管極性:N-Channel

通道數量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續漏極電流:1.2 A

Rds On-漏源導通電阻:250 mOhms

Vgs-柵極-源極電壓:-12 V,+12 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV

Qg-柵極電荷:2.6 nC

最小工作溫度:-55 C

最大工作溫度:+150 C

Pd-功率耗散:540 mW

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:4.8 ns

正向跨導-最小值:1.3 S

IRLML2402TRPBF引腳圖

image.png

二、工作原理

MOSFET 的基本工作原理是通過柵極(Gate)電壓來控制源極(Source)和漏極(Drain)之間的電流流動。具體來說,當柵極電壓超過閾值電壓(V_th)時,會在半導體材料中形成一個導電通道,從而允許電流從漏極流向源極。

IRLML2402TRPBF 作為一個增強型 N 溝道 MOSFET,當柵極電壓為正時,電子被吸引到柵極氧化層下方的溝道區域,形成一個 n 型導電通道,允許電流從漏極流向源極。此時,MOSFET 處于導通狀態。當柵極電壓低于閾值電壓時,導電通道消失,MOSFET 處于截止狀態,漏源間沒有電流流過。

三、特點

IRLML2402TRPBF 具有以下幾個顯著特點:

  1. 低導通電阻(R_DS(on)):其典型值為0.08Ω,意味著在導通狀態下,漏源之間的電阻非常低,從而減少了功率損耗和發熱。

  2. 高速開關性能:由于其低柵極電荷(Qg)和低延遲時間,IRLML2402TRPBF 可以在高頻率下快速切換,適用于高速開關應用。

  3. 低柵極驅動電壓:其柵極驅動電壓范圍較寬,通常為2.5V至12V,方便與低電壓邏輯電路兼容。

  4. 增強型設計:該 MOSFET 設計為增強型,意味著在柵極電壓為0V時,器件處于關閉狀態,具有更好的控制能力。

四、應用

IRLML2402TRPBF 由于其高效能和低功耗特性,被廣泛應用于以下領域:

  1. DC-DC 轉換器:用于提高能量轉換效率,減少電能損耗。

  2. 電機驅動:在電機控制電路中作為開關元件,控制電機的啟停和速度調節。

  3. 電源管理:用于各種便攜式電子設備和嵌入式系統的電源管理電路,優化電源分配和節能。

  4. 負載開關:在各種電子設備中用作負載開關,控制電路的通斷。

  5. 邏輯電平轉換:在不同電壓邏輯電路之間進行電平轉換,確保電路正常工作。

五、參數

以下是 IRLML2402TRPBF 的主要技術參數:

參數名稱數值單位備注
最大漏極電壓(V_DS)20V
最大柵極電壓(V_GS)±12V
漏極電流(I_D)3.3A@ V_GS = 10V
最大脈沖漏極電流(I_DM)10A
漏源導通電阻(R_DS(on))0.08Ω@ V_GS = 10V, I_D = 3.3A
柵極電荷(Qg)6.6nC@ V_GS = 4.5V
開通延遲時間(t_d(on))5ns@ V_DD = 10V, R_L = 10Ω
關斷延遲時間(t_d(off))18ns@ V_DD = 10V, R_L = 10Ω
功耗(P_D)0.8W
熱阻(結到環境)156°C/W
熱阻(結到引腳)125°C/W

這些參數反映了 IRLML2402TRPBF 在不同工作條件下的性能表現,可以幫助工程師在設計電路時做出正確的選擇和判斷。

六、詳細分析

  1. 低導通電阻:低導通電阻是 MOSFET 的關鍵性能指標之一。IRLML2402TRPBF 的 R_DS(on) 值為 0.08Ω,意味著在器件導通時,電流通過的阻力非常小,從而減少了電能損耗和發熱。這對于要求高效能的應用如 DC-DC 轉換器和電源管理電路尤其重要。

  2. 高速開關性能:該 MOSFET 具備較低的柵極電荷(Qg),在典型條件下為 6.6nC,能夠實現快速開關。這使得 IRLML2402TRPBF 能夠在高頻率的電路中工作,例如開關電源和電機驅動中,提高整體系統的效率。

  3. 寬柵極驅動電壓范圍:IRLML2402TRPBF 支持 2.5V 至 12V 的柵極驅動電壓范圍,使其可以與多種邏輯電平兼容,特別是在低電壓邏輯電路中應用時,非常便利。

七、應用實例

  1. DC-DC 轉換器應用:在降壓轉換器中,IRLML2402TRPBF 可以作為高效開關元件,通過高速切換來調節輸出電壓,從而提高電源轉換效率,減少能量損耗。

  2. 電機驅動電路:在電機控制電路中,IRLML2402TRPBF 通過其快速開關能力,實現對電機啟停和速度的精準控制,提升整體電機驅動系統的性能。

  3. 便攜設備中的電源管理:在智能手機、平板電腦等便攜式設備中,IRLML2402TRPBF 作為負載開關或電源管理器件,能夠優化電源分配,延長設備的電池壽命。

  4. 邏輯電平轉換器:在不同電壓邏輯電路之間進行電平轉換時,IRLML2402TRPBF 通過其低柵極驅動電壓特性,實現平穩的電平轉換,確保電路的可靠性和穩定性。

IRLML2402TRPBF 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,因其低導通電阻、高速開關性能和寬柵極驅動電壓范圍,被廣泛應用于 DC-DC 轉換器、電機驅動、電源管理和邏輯電平轉換等領域。其優異的性能和可靠性,使其在現代電子電路設計中占據了重要地位。

責任編輯:David

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