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ON安森美BSS138L MOS管中文資料

來源:
2024-06-27
類別:基礎知識
eye 25
文章創建人 拍明芯城

BSS138L MOS管中文資料

BSS138L是一款N溝道增強型場效應晶體管,屬于MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)類別。該型號由ON安森美半導體公司生產,具有低導通電阻和快速開關性能,廣泛應用于各種電源管理和負載開關應用中。

BSS138L的封裝類型通常為SOT-23,這是一種小型表面貼裝封裝,適合現代電子設備的高密度集成需求。SOT-23封裝不僅體積小巧,而且有利于電路板的自動化焊接,提高了生產效率。

BSS138L圖片

廠商名稱:ON安森美

元件分類:MOS管

中文描述: 功率場效應管,MOSFET,溝,N溝道,50 V,200 mA,2.78 ohm,SOT-23,表面安裝

英文描述: MOSFET,N-CHANNEL,50V,0.2A,SOT-23-3

數據手冊:http://www.7788pus.com/data/k02-36639076-BSS138L.html

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BSS138L概述

BSS138L N溝道功率MOSFET的典型應用為DC-DC轉換器、便攜式電池供電產品中的電源管理,如計算機、打印機、PCMCIA卡、手機和無繩電話。

特性

低閾值電壓

低壓應用的理想選擇

微型SOT-23表面貼裝封裝

優勢

節省電路板空間

符合RoHS標準

應用

DC-DC轉換器

能源管理

終端產品

電腦

打印機

PCMCIA卡

蜂窩電話和無繩電話

BSS138L中文參數

晶體管極性:N溝道

電流,Id連續:200mA

漏源電壓,Vds:50V

在電阻RDS(上):2.78ohm

電壓Rds測量:5V

閾值電壓Vgs:1.25V

晶體管安裝:表面安裝

功耗Pd:350mW

晶體管封裝類型:SOT-23

針腳數:3引腳

工作溫度最高值:150°C

BSS138L引腳圖

image.png

工作原理

BSS138L MOS管的工作原理基于場效應晶體管的基本工作機制。MOSFET有三個主要的引腳:柵極(Gate)、漏極(Drain)和源極(Source)。N溝道MOSFET的工作原理如下:

  1. 柵極控制:通過柵極電壓控制漏極和源極之間的導通與關斷。當柵極電壓高于源極電壓的閾值電壓(V_GS(th))時,MOSFET導通,漏極和源極之間形成低阻抗通道,電流可以流過。

  2. 增強型模式:BSS138L為增強型MOSFET,即在柵極電壓為0時,MOSFET處于關斷狀態。只有當柵極電壓高于閾值電壓時,漏極和源極之間的通道才會導通。

  3. 電流流動:當MOSFET導通后,電流從漏極流向源極(對于N溝道)。電流的大小取決于漏極和源極之間的電壓差(V_DS)和柵極電壓(V_GS)。

特點

BSS138L MOS管具有以下幾個顯著特點:

  1. 低導通電阻:BSS138L的R_DS(on)值較低,通常在幾百毫歐范圍內。這意味著在導通狀態下,MOSFET的電壓降和功耗較低。

  2. 快速開關速度:由于其較低的柵極電荷,BSS138L可以實現快速的開關速度,適用于高頻開關電路。

  3. 小封裝尺寸:SOT-23封裝使得BSS138L適合高密度電路板設計,節省空間。

  4. 低柵極電壓驅動:BSS138L可以在較低的柵極電壓下工作,適合與3.3V或5V邏輯電平兼容。

應用

BSS138L MOS管在各種電子電路中有著廣泛的應用,主要包括:

  1. 負載開關:BSS138L常用于控制各種負載,如LED、繼電器和電機等。

  2. 電源管理:在電源管理電路中,BSS138L可以用于實現電源開關、穩壓器和電池管理系統。

  3. 信號開關:在高頻和高速信號傳輸電路中,BSS138L可以用作信號開關器件。

  4. 保護電路:BSS138L可用于過壓保護和過流保護電路,保護敏感電子元件免受損壞。

  5. 邏輯電平轉換:在不同邏輯電平電路間進行轉換,確保系統兼容性。

參數

BSS138L的主要參數如下:

  1. 漏極-源極電壓(V_DS):最大可承受電壓為50V。

  2. 柵極-源極電壓(V_GS):最大可承受電壓為±20V。

  3. 漏極電流(I_D):最大連續漏極電流為200mA。

  4. 漏極源極導通電阻(R_DS(on)):在V_GS = 10V時,典型值為3Ω;在V_GS = 4.5V時,典型值為4Ω。

  5. 閾值電壓(V_GS(th)):典型值為1.3V,最大值為2.5V。

  6. 總柵極電荷(Q_g):典型值為2.5nC。

  7. 輸入電容(C_iss):典型值為20pF。

  8. 開關速度:典型的上升時間(t_r)為10ns,下降時間(t_f)為8ns。

這些參數使得BSS138L在各種應用中表現出色,特別是對于需要高開關速度和低導通電阻的應用場合。

結論

綜上所述,BSS138L是一款性能優異的N溝道增強型MOSFET,具有低導通電阻、快速開關速度和小封裝尺寸等特點。其廣泛應用于負載開關、電源管理、信號開關、保護電路和邏輯電平轉換等領域,為現代電子設備提供了可靠、高效的解決方案。在實際應用中,根據具體的電路需求選擇合適的驅動電壓和工作參數,可以充分發揮BSS138L的性能優勢。

責任編輯:David

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