NDS331N MOS管中文資料

NDS331N 是 ON 安森美半導體推出的一款 N 溝道增強型 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管）。這種類型的 MOSFET 以其低導通電阻和高開關速度著稱，廣泛應用于各種電子設備和電路中。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應管，MOSFET，N溝道，20 V，1.3 A，0.11 ohm，SuperSOT，表面安裝

英文描述： MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

數據手冊：http://www.7788pus.com/data/k02-36711089-NDS331N.html

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NDS331N概述

NDS331N是一款N溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管，采用高單元密度，DMOS技術.這種非常高密度的工藝特別適合降低導通電阻.適用于PCMCIA卡與其他電池供電電路的低電壓應用，其中需要非常小的表面安裝封裝，以及快速開關與低功耗.

高密度單元設計，極低RDS(ON)

卓越的導通電阻與最大DC電流能力

應用

電源管理，計算機和計算機周邊

NDS331N中文參數

晶體管極性:N溝道

漏源電壓，Vds:20V

電流，Id連續:1.3A

在電阻RDS(上):0.11ohm

晶體管封裝類型:SuperSOT

晶體管安裝:表面安裝

電壓 Rds測量:4.5V

閾值電壓Vgs:700mV

功耗Pd:500mW

針腳數:3引腳

工作溫度最高值:150°C

NDS331N引腳圖

N 溝道 MOSFET

NDS331N 屬于 N 溝道 MOSFET，這意味著當施加正向柵極電壓時，器件導通，并允許電流從漏極流向源極。相比 P 溝道 MOSFET，N 溝道 MOSFET 通常具有更低的導通電阻和更高的電子遷移率，因而在開關應用中更受歡迎。

工作原理

基本結構

NDS331N MOSFET 的基本結構包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要電極。柵極與源極之間有一層薄薄的絕緣氧化物層，當在柵極施加電壓時，會在氧化物層下方的半導體材料中形成一個導電通道。

導通與關斷

當柵極電壓超過閾值電壓（V_GS(th)）時，MOSFET 導通，形成從漏極到源極的低阻抗通道，允許電流通過。相反，當柵極電壓低于閾值電壓時，通道關閉，MOSFET 處于關斷狀態，阻止電流流動。

電流控制

MOSFET 的電流主要受柵極電壓控制。對于 NDS331N，隨著柵極電壓的增加，通道中的電子數量增加，導通電阻降低，漏極電流增大。通過精確控制柵極電壓，可以實現對漏極電流的調節。

特點

低導通電阻

NDS331N 的導通電阻非常低，典型值為 0.065 歐姆。這意味著在導通狀態下，漏極到源極的電壓降非常小，從而提高了效率，減少了功耗。

高開關速度

由于 MOSFET 的電子遷移率高，NDS331N 具有快速的開關速度。這使其非常適合于高頻應用，如開關電源和 PWM 控制電路。

低柵極電荷

NDS331N 具有低柵極電荷特性，這意味著在開關過程中所需的能量較少，從而減少了驅動電路的功耗，提高了整體效率。

高可靠性

ON 安森美半導體的 NDS331N 經過嚴格的質量控制和測試，具有高可靠性和穩定性，能夠在各種嚴苛的環境條件下工作。

應用

開關電源

由于其低導通電阻和高開關速度，NDS331N 常用于開關電源中，作為開關元件來實現高效的能量轉換。

DC-DC 轉換器

在 DC-DC 轉換器中，NDS331N 可以用作主開關，控制能量的傳遞和轉換，提高轉換效率。

電機驅動

NDS331N 也廣泛應用于電機驅動電路中，利用其高開關速度來實現精確的電機控制。

PWM 控制

由于其快速的響應時間，NDS331N 是 PWM 控制電路中的理想選擇，可以實現高精度的脈寬調制。

參數

絕對最大額定值

• 漏極-源極電壓（V_DS）: 30V

• 柵極-源極電壓（V_GS）: ±20V

• 連續漏極電流（I_D）: 1.3A（T_A = 25°C）

• 脈沖漏極電流（I_DM）: 5.2A

電特性（T_A = 25°C，除非另有說明）

• 漏極-源極導通電阻（R_DS(on））: 0.065Ω（V_GS = 10V，I_D = 1.3A）

• 柵極-源極閾值電壓（V_GS(th））: 1.0-2.5V

• 漏極-源極漏電流（I_DSS）: 1μA（V_DS = 24V，V_GS = 0V）

• 柵極電荷（Q_g）: 3nC（V_GS = 4.5V，V_DS = 15V）

熱特性

• 結點至環境熱阻（R_θJA）: 125°C/W

• 結點至引線熱阻（R_θJL）: 85°C/W

封裝與尺寸

NDS331N 采用 SOT-23 封裝，適用于表面貼裝技術（SMT），其小尺寸和低輪廓使其非常適合于緊湊型電路設計。

封裝尺寸

• 引腳數量: 3

• 封裝類型: SOT-23

• 引腳間距: 0.95mm

• 封裝高度: 1.0mm

• 封裝長度: 2.9mm

• 封裝寬度: 1.3mm

總結

NDS331N MOS管作為一種高效、低功耗、高可靠性的 N 溝道增強型 MOSFET，廣泛應用于各種電子設備和電路中。其低導通電阻、高開關速度和低柵極電荷特性使其成為開關電源、DC-DC 轉換器、電機驅動和 PWM 控制電路中的理想選擇。ON 安森美半導體的優質制造工藝和嚴格的質量控制確保了 NDS331N 在各種應用中的穩定性和可靠性。