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臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET是采用Trench技術(shù)構(gòu)建的250V低壓單配置MOSFET。該MOSFET具有22A連續(xù)漏極電流，60毫歐漏極源電阻，78W功耗和71nC柵極電荷。TSM600NA25CIT MOSFET提供22pF反向傳輸電容，無鉛，無鹵素，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。該功率MOSFET是不間斷電源(UPS)、交直流電源和照明應(yīng)用的理想選擇。
特性
單配置和n溝道MOSFET
槽技術(shù)
250V漏源極低電壓(V(DS))
22A連續(xù)漏極電流(I(D)) @ (T(C)=25°C)
60毫歐低漏源電阻(R(DS(ON)))(最大值)
71nC低柵電荷(Q(g))(典型)
22pF低反向轉(zhuǎn)移電容(C(rss))(典型)
78W功耗(P(d))
工作溫度范圍-55℃~ 150℃
通過無鉛認(rèn)證
Pb-free
無鹵
隔離電壓2500V/1min
ito - 220 tl包
應(yīng)用程序
不間斷電源(UPS)
交直流供電
照明
責(zé)任編輯：David
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