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SiC器件將擊穿電壓擴(kuò)展到1700V
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安森美半導(dǎo)體的1700-V EliteSiC MOSFET和EliteSiC肖特基二極管為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供可靠、高效的運(yùn)行。1700V NTH4L028N170M1 MOSFET 為高功率工業(yè)系統(tǒng)帶來了更高的擊穿電壓，而兩個(gè) 1700V 雪崩額定肖特基二極管(NDSH25170A、NDSH10170A)允許設(shè)計(jì)人員在高溫下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高壓操作。
EliteSiC MOSFET 的最大柵源電壓范圍為 -15 V 至 +25 V，適用于快速開關(guān)應(yīng)用。在 1200 V/40 A 的測試條件下，MOSFET 可實(shí)現(xiàn) 200 nC 的柵極電荷。據(jù)安森美半導(dǎo)體稱，與接近300 nC的同等競爭設(shè)備相比，這是市場領(lǐng)先的。低柵極電荷對(duì)于在快速開關(guān)、高功率可再生能源系統(tǒng)中保持高效率至關(guān)重要。
EliteSic 肖特基二極管的擊穿電壓額定值為 1700 V，可改善二極管的最大反向電壓和峰值重復(fù)反向電壓之間的裕量。這些器件在反向漏電性能方面也表現(xiàn)出色，+25°C時(shí)的最大反向電流僅為40 μA，+175°C時(shí)的最大反向電流僅為100 μA。 安森美半導(dǎo)體報(bào)告稱，競爭器件在+25°C時(shí)的額定電流通常為100 μA。
這 NTH4L028N170M1 1700V、28mΩ 平面精英碳化硅 MOSFET 采用 TO-247-4LD 封裝。無論是 NDSH25170A 1700-V、25-A 精英碳化硅肖特基二極管和 NDSH10170A 1700-V、10-A 精英碳化硅肖特基二極管采用 TO-247 封裝。
安森美
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