原標題：ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介紹、特性、及應用

ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介紹、特性及應用如下：

介紹

RX3G07CGNC16是ROHM Semiconductor生產的一款功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），屬于N型通道（N-CH）的MOSFET。該型號晶體管采用TO-220AB封裝，適用于各種需要高電流、高電壓控制的電子電路。

特性

1. 電氣參數：

• 漏源電壓(Vdss)：40V

• 25°C時電流-連續漏極(Id)：70A

• 驅動電壓(最大RdsOn, 最小RdsOn)：未提供具體數值

• 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值)：4.7毫歐 @ 70A, 10V

• 不同Id時Vgs(th)(最大值)：2.5V @ 500μA

• Vgs(最大值)：±20V

• 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值)：2410pF @ 20V

1. 熱參數：

• 功率耗散(最大值)：78W(Tc)

• 工作溫度：150°C(TJ)

2. 其他特性：

• 封裝類型：TO-220AB，通孔安裝

• 技術標準：MOSFET N-CH 40V 70A

• 應用分類：晶體管 - FET, MOSFET - 單個

應用

RX3G07CGNC16功率MOSFET適用于需要高電流、高電壓控制的電子電路，如開關電源、電機驅動、電池保護等。其高電流承載能力和低導通電阻使得它在這些應用中能夠提供高效的能量轉換和電路保護。此外，由于其高工作溫度，RX3G07CGNC16也適用于一些高溫工作環境下的電路應用。

綜上所述，ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET以其優異的電氣參數、熱參數和其他特性，在各種高功率電子電路中有著廣泛的應用。