原標題：安森美發布高性能、低損耗的SUPERFET VMOSFET系列，應用于服務器和電信

安森美（onsemi）發布的高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，在服務器和電信領域具有顯著的應用優勢。以下是該系列MOSFET的詳細介紹：

一、產品發布與特點

• 發布時間：安森美在2021年12月8日發布了新的600 V SUPERFET V MOSFET系列。

• 主要特點：

1. 高性能與低損耗：這些器件提供卓越的開關特性，使電源能夠符合嚴苛的能效標準，如80 PLUS Titanium，特別是在極具挑戰性的10%負載條件下。

2. 出色的開關特性：SUPERFET V系列MOSFET具有較低的門極噪聲，有助于降低電磁干擾(EMI)，對服務器和電信系統尤為重要。

3. 增強系統可靠性：強固的體二極管和較高的VGSS(DC ±30 V)增強了系統可靠性。

二、產品優化與版本

• 產品組優化：600 V SUPERFET系列下的三個產品組——FAST、Easy Drive和FRFET，經過優化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。

1. FAST版本：在硬開關拓撲結構（如高端PFC）中提供極高能效，并經過優化以提供更低的門極電荷(Qg)和EOSS損耗，實現快速開關。主要器件包括NTNL041N60S5H和NTHL185N60S5H等。

2. Easy Drive版本：適用于硬開關和軟開關拓撲結構，包含一個內置門極電阻(Rg)及經優化的內置電容。主要器件如NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z等。

3. FRFET版本：適用于軟開關拓撲結構，如移相全橋(PSFB)和LLC。主要優勢是快速體二極管，并提供降低的Qrr和Trr。主要器件如NTP125N60S5FZ和NTMT061N60S5F等。

三、應用優勢與案例

• 應用優勢：

1. 能效提升：SUPERFET V系列MOSFET能夠滿足80 PLUS Titanium的能效要求，確保服務器和電信設備在高效能狀態下運行。

2. 系統可靠性：通過強固的體二極管和高VGSS，提高了系統整體的可靠性和穩定性。

3. 降低電磁干擾：出色的開關特性和較低的門極噪聲有助于減少電磁干擾，為服務器和電信系統提供更干凈的工作環境。

• 應用案例：這些高性能、低損耗的MOSFET廣泛應用于服務器和電信設施的供電系統中，為這些高負載、高能效要求的設備提供可靠的電力支持。

四、公司背景與實力

• 公司簡介：安森美（onsemi）是領先的智能電源和智能感知技術供應商，其產品廣泛應用于汽車、工業、消費和通信等領域。

• 技術實力：安森美在半導體技術方面擁有深厚的積累和創新實力，不斷推出高性能、低功耗的產品以滿足市場需求。

綜上所述，安森美發布的高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列在服務器和電信領域具有顯著的應用優勢，為這些領域的設備提供了更高效、更可靠的電力支持。