原標題：中國閃存市場峰會CFMS2021圓滿落幕！產(chǎn)業(yè)鏈大咖演講內(nèi)容精彩至極

中國閃存市場峰會CFMS2021已經(jīng)圓滿落幕，此次峰會匯聚了全球領域內(nèi)核心的存儲器廠商、終端廠商、平臺應用及網(wǎng)絡基礎建設廠商等的主要領導和負責人，參會觀眾涵蓋了消費類、大數(shù)據(jù)、行業(yè)存儲等各領域應用客戶。峰會中，產(chǎn)業(yè)鏈大咖們的演講內(nèi)容精彩至極，以下是對部分演講內(nèi)容的歸納與總結(jié)：

一、市場概況與趨勢

• 市場規(guī)模與增長：據(jù)閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，2021年全球存儲市場規(guī)模將超過1500億美元，增長26%，其中DRAM為910億美元，NAND Flash為650億美元。中國市場在全球存儲市場中占據(jù)重要地位，DRAM和NAND Flash銷售規(guī)模占據(jù)30%以上的市場份額，部分國際原廠在中國區(qū)的銷售占比更是高達35%以上。

• 供需關系變化：在“缺芯”的大背景下，終端廠商加大了囤貨力度，導致存儲市場一度供不應求。然而，隨著部分終端客戶因overbooking引發(fā)砍單，市場供需關系逐漸由全面供不應求轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)構(gòu)性供需失衡。

二、技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展

• 3D NAND技術(shù)：三星、美光、SK海力士等廠商均展示了其最新的176層3D NAND產(chǎn)品，長江存儲也帶來了128L產(chǎn)品，鎧俠最新一代162L產(chǎn)品有望在2022年量產(chǎn)。3D NAND的堆疊層數(shù)不斷突破，預示著未來存儲密度的進一步提升。

• DRAM技術(shù)：三星、SK海力士、美光等廠商均會量產(chǎn)1α DRAM制程產(chǎn)品，并計劃在下半年推出DDR5 DRAM產(chǎn)品。隨著英特爾和AMD處理器平臺的發(fā)布，DDR5在主流產(chǎn)品的應用預計將在2022年上半年放量。

• 接口與性能提升：三星不斷推動PCIe接口性能發(fā)展，其PCIe Gen5解決方案在現(xiàn)有的U.2外形提供的25W功率限制內(nèi)可提供高速性能。在移動存儲方面，三星表示通過UFS4.0，移動用戶可以享受高達24Gbps的速度。

三、行業(yè)應用與解決方案

• 數(shù)據(jù)中心與企業(yè)級應用：鎧俠等企業(yè)展示了其在數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級存儲領域的解決方案，如基于自產(chǎn)XL-Flash獨特閃存顆粒的SCM SSD-FL6系列，支持雙接口，實現(xiàn)超低延遲和高性能。

• 工控市場：宜鼎國際等廠商圍繞工控SSD的發(fā)展趨勢與應用做了主題演講，介紹了其在工控市場的長期經(jīng)驗以及針對特定行業(yè)需求的定制化解決方案。

四、未來展望

• 數(shù)字化轉(zhuǎn)型與數(shù)據(jù)增長：隨著全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，預計到2025年全球的數(shù)據(jù)量將會大幅增長，為存儲行業(yè)帶來良好的發(fā)展機遇。

• 技術(shù)創(chuàng)新與合作：存儲行業(yè)需要超越個體的創(chuàng)新，共同謀求更大的圖景。通過技術(shù)創(chuàng)新和合作，可以減少數(shù)據(jù)搬移，提高性能并降低功耗。

綜上所述，CFMS2021不僅展示了中國閃存市場的最新動態(tài)和技術(shù)成果，還為產(chǎn)業(yè)鏈各方提供了交流與合作的平臺，共同推動存儲行業(yè)的持續(xù)健康發(fā)展。