原標題：UnitedSiC推出業界最佳6mΩ SiC FET

UnitedSiC（現為Qorvo的一部分）作為領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商，于2021年推出了業界最佳的6mΩ SiC FET，這一舉措顯著響應了電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。以下是關于UnitedSiC推出6mΩ SiC FET的詳細介紹：

一、產品特點

1. 極低導通電阻（RDS(on)）：

• 該6mΩ SiC FET的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產品的一半，展示了其在傳導效率上的顯著優勢。

• UnitedSiC還發布了一系列不同導通電阻的SiC器件，包括6、9、11、23、33和44mΩ等多種選項，以滿足不同客戶的多元化需求。

2. 短路耐受能力：

• 該SiC FET具有業界最優的5μs額定短路耐受時間，能夠更好地保護功率器件，配合驅動器短路防護功能，提升系統穩定性和可靠性。

3. 封裝形式：

• 產品提供多種封裝選項，包括TO-247-4L和TO-247-3L等，這些封裝方案為設計人員提供了更大的設計靈活性。

4. 獨特技術架構：

• UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結構，內部集成了一個SiC JFET和一個硅MOSFET，實現了高速、低損耗和高溫工作的能力，同時保持了簡單、穩定和魯棒的柵極驅動，并具有集成的ESD保護。

二、性能優勢

1. 品質因數（FoM）：

• 在衡量每單位芯片面積的傳導損耗的指標RDS(on)×A上，第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達到市場最低值。

• RDS(on)×EOSS/QOSS這一FoM在硬開關應用中表現出色，其值僅為最接近的競爭對手值的一半。

• RDS(on)×COSS(tr)這一FoM在軟開關應用中至關重要，UnitedSiC的750V器件與競爭對手的650V器件相比，具有顯著優勢。

2. 熱性能：

• 通過先進的晶圓減薄技術和銀燒結貼片工藝，第4代SiC FET降低了從裸片到外殼的熱阻，能夠在要求苛刻的應用中實現最大功率輸出，同時保持低芯片溫升。

三、應用領域

1. 電動汽車：

• 適用于電動汽車中的牽引驅動器、車載和非車載充電器等，能夠顯著降低功率損耗并減輕重量。

• 在牽引逆變器應用中，相比傳統的IGBT系統，采用UnitedSiC的SiC FET可以在滿負載狀態下將損耗降低至前者的1/3，在輕載或中載場合時損耗僅為IGBT的1/5~1/6。

2. 可再生能源：

• 適用于可再生能源逆變器、功率因數校正等場合，提高系統效率。

3. IT基礎設施：

• 在數據中心PFC和DC/DC轉換等應用中，由于UnitedSiC產品采用特有的Casecode結構，客戶可以在現有的設計基礎下直接切換到SiC，實現效率的提升。

四、總結

UnitedSiC推出的6mΩ SiC FET以其極低的導通電阻、優異的短路耐受能力、多種封裝選項和獨特的技術架構，在電源設計領域樹立了新的標桿。這些產品不僅滿足了電源設計人員對高性能、高效率SiC FET的需求，還廣泛應用于電動汽車、可再生能源和IT基礎設施等多個領域，推動了相關產業的快速發展。