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安森美半導體NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應(yīng)用

來源： hqbuy

2021-08-04

類別：基礎(chǔ)知識

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原標題：安森美半導體NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應(yīng)用

安森美半導體NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL是兩款n溝道MOSFET，它們被設(shè)計為POWERTRENCH功率夾對稱雙溝道MOSFET，并采用WQFN12封裝技術(shù)。以下是對這兩款MOSFET的詳細介紹、特性及應(yīng)用領(lǐng)域的分析：

一、介紹

安森美半導體的NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL是兩款高性能的n溝道MOSFET，它們采用先進的WQFN12封裝技術(shù)，使得整體尺寸小巧（3mm x 3mm），占地面積小，便于在電路中的放置和路由。這兩款MOSFET特別適用于需要高效率電源轉(zhuǎn)換的場合，如DC-DC變換器、通用負載點、單相電機驅(qū)動等。

二、特性

低R(DS(on))：這兩款MOSFET提供了低導通電阻（R(DS(on))），這有助于減少在導通狀態(tài)下的功率損耗。具體地，NTTFD4D0N04HL在V(GS) = 10V, I(D) = 10A時的最大R(DS(on))為4.5毫歐，而NTTFD9D0N06HL在相同條件下的最大R(DS(on))為9毫歐。
低Qg和電容：低柵極電荷（Qg）和低電容特性有助于減少驅(qū)動損耗，提高整體效率。
配置為半橋：這兩款MOSFET被設(shè)計為半橋配置，這種配置有助于減少寄生效應(yīng)，進一步提高性能。
增強型MOSFET：它們都是增強型MOSFET，這意味著它們需要柵極電壓高于閾值電壓才能導通。

三、應(yīng)用

DC-DC變換器：由于其低導通電阻和低損耗特性，這兩款MOSFET非常適合用于DC-DC變換器中，以提高電源轉(zhuǎn)換效率。
通用負載點：在需要穩(wěn)定電源供應(yīng)的通用負載點應(yīng)用中，NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL能夠提供高效的電源管理。
單相電機驅(qū)動：它們也可用于單相電機驅(qū)動電路中，幫助控制電機的啟動、停止和速度調(diào)節(jié)。
計算和通信：在高性能計算和通信設(shè)備中，這些MOSFET可用于電源模塊和電氣連接部分，確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。

四、總結(jié)

安森美半導體的NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL是兩款高性能的n溝道MOSFET，它們采用先進的WQFN12封裝技術(shù)，具有低導通電阻、低柵極電荷和低電容等特性。這些特性使得它們非常適合用于DC-DC變換器、通用負載點、單相電機驅(qū)動以及計算和通信等領(lǐng)域的高效率電源轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用。

責任編輯：David

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標簽： NTTFD4D0N04HL NTTFD9D0N06HL mosfet