原標題：泛林集團全新干膜光刻膠技術突破技術瓶頸，滿足下一代器件的縮放需求

泛林集團全新干膜光刻膠技術的突破，確實為滿足下一代器件的縮放需求提供了有力的技術支持。以下是對該技術的詳細分析：

一、技術背景與需求

隨著芯片制造商開始轉向更先進的技術節點，芯片的特征尺寸愈發精細，這對光刻膠技術提出了更高的要求。傳統的光刻膠技術，如化學放大光刻膠（CAR），在5nm節點之后已面臨重大瓶頸，無法滿足更精細特征的制造需求。因此，業界迫切需要一種創新的光刻膠解決方案，以平衡EUV光刻技術的成本和設計難度，并將其拓展至未來的工藝節點。

二、技術突破與創新

泛林集團與ASML和imec合作，研發出了一種完全不同于旋轉涂膠的突破性光刻膠技術——干膜光刻膠技術。這種技術通過使用氣相的反應前體，能夠制出均勻且一致的薄膜，具有多項顯著優勢：

1. 高效光子捕獲：

• 當前的EUV光源波長更短，產生的光子數量成倍減少。而干膜光刻膠技術的重要特征就是可以通過高密度光敏粒子框架更加有效地捕獲光子，從而提高了光刻效率。

2. 高分辨率：

• 由于采用完全不同于CAR中鏈式反應的曝光機制，新技術的分辨率也更高。在國際光學工程學會（SPIE）的先進光刻技術研討會上，展示了利用該技術在26nm間距上成功實現成像的成果，最佳Z因子小于1x10^-8 mJ nm3，這證明了其高分辨率的能力。

3. 優化參數：

• 干法沉積的一大特點是只需改變沉積和顯影時間就可以改變光刻膠厚度，相比之下，改變旋轉涂膠厚度的難度要大得多。使用干式方法，可以同時優化干膜厚度、光子吸收、轉移刻蝕和底層粘附，從而擺脫必須權衡線邊緣粗糙度（LER）、敏感度和缺陷/器件良率的難題。

4. 材料純度與敏感度：

• 干膜光刻膠技術不受粘度、化學保質期等限制因素的影響。由于不再需要添加用來控制粘附性或穩定性的添加劑，干法沉積獲得的材料純度更高，因此敏感度也更高，且非常適合之后的干法顯影工藝。

三、技術優勢與應用前景

1. 技術優勢：

• 干膜光刻膠技術打破了RLS折衷關系（即分辨率、線邊緣粗糙度和敏感度之間的權衡關系），實現了參數的同時優化。

• 該技術具有更高的材料純度和敏感度，以及更長的無塌陷工藝窗口期，有利于減少線條和柱狀圖形的塌陷。

2. 應用前景：

• 泛林集團的干膜光刻膠和顯影技術能加速業界轉向滿足未來節點要求的EUV光刻應用。

• 該技術使得面向高級邏輯和內存器件的持續縮放成為可能，有助于推動半導體行業的進一步發展。

綜上所述，泛林集團的全新干膜光刻膠技術是一項具有重大突破性的創新技術，它滿足了下一代器件縮放的需求，為半導體行業的發展注入了新的活力。