原標題：輻射發射測試：如何避免采用復雜的EMI抑制技術以實現緊湊、高性價比的隔離設計

在輻射發射（RE）測試中，通過優化隔離設計以避免采用復雜的EMI抑制技術，同時實現緊湊、高性價比的設計，可以從以下幾個方面入手：

一、選擇集成化解決方案

1. 采用集成隔離電源模塊
   使用集成變壓器和驅動電路的芯片級解決方案（如ADI的isoPower?系列），通過內部線圈對稱性和驅動電路優化，減少共模電流（CM電流）的輻射。

• 優勢：無需外部旁路電容，減少PCB空間占用，降低設計復雜度。

• 案例：ADuM5020/ADuM5028在2層PCB上即可滿足CISPR 22/EN 55022 B類標準，提供500mW和330mW功率。

2. 利用芯片內置輻射抑制技術
   選擇具備內置EMI抑制功能的隔離芯片，例如采用擴頻調制技術降低特定頻率的輻射峰值，或通過優化封裝結構減少寄生參數。

二、優化電路與布局設計

1. 降低開關頻率與寄生參數

• 降低開關頻率：在滿足效率要求的前提下，降低開關頻率以減少高頻輻射。

• 減少寄生電容：通過優化變壓器繞組布局，減少初級與次級之間的寄生電容，從而降低CM電流的容性耦合。

2. 合理布局PCB

• 分離敏感信號線：將高頻信號線與低頻信號線分開布線，避免信號耦合。

• 縮短信號回路：減小信號回路的面積，降低輻射效率。

• 增加地平面：在PCB中添加完整的地平面，提供低阻抗回流路徑，減少輻射。

三、采用低成本輻射抑制技術

1. 使用鐵氧體磁珠
   在次級端添加鐵氧體磁珠，利用其高頻阻抗特性抑制輻射。

• 優勢：成本低、體積小，適合緊湊設計。

• 案例：ADI的isoPower?系列產品通過在次級端使用鐵氧體磁珠，進一步降低輻射發射。

2. 優化旁路電容

• 選擇低ESR電容：使用等效串聯電阻（ESR）低的電容，提供更好的高頻濾波效果。

• 合理布局電容：將旁路電容盡可能靠近電源引腳，減少寄生電感。

四、設計階段的前期考慮

1. EMC設計前置
   在產品設計初期就考慮EMC要求，避免后期因輻射發射問題導致設計反復。

• 仿真分析：使用EMC仿真工具預測輻射發射水平，優化設計方案。

• 標準預研：提前研究目標市場的輻射發射標準（如CISPR 11/EN 55011、FCC Part 15），確保設計符合要求。

2. 選擇合規組件
   選用已經通過EMC認證的元器件，減少輻射發射風險。

• 示例：選擇符合IEC 60950-1安全標準的隔離變壓器，降低設計合規難度。

五、創新技術助力

1. 擴頻調制技術
   通過調制開關頻率，將輻射能量分散到更寬的頻帶，降低峰值輻射水平。

• 優勢：無需額外硬件，通過軟件即可實現。

2. 優化線圈對稱性
   設計高度對稱的變壓器繞組，減少CM電流的不平衡，從而降低輻射。

六、案例總結

以ADI的isoPower?系列產品為例，通過以下技術實現緊湊、高性價比的隔離設計：

• 集成化設計：將變壓器與驅動電路集成到芯片中，減少外部元件。

• 內置輻射抑制：采用擴頻調制、線圈對稱性優化和鐵氧體磁珠，降低輻射發射。

• 簡化PCB設計：無需外部旁路電容，支持2層PCB布局，降低設計復雜度和成本。

結論

通過選擇集成化解決方案、優化電路與布局設計、采用低成本輻射抑制技術，并在設計階段前置考慮EMC要求，可以有效避免復雜的EMI抑制技術，實現緊湊、高性價比的隔離設計。