原標(biāo)題：中國(guó)工程院院士建言“十四五”規(guī)劃：北京要以IC及IC裝備技術(shù)產(chǎn)業(yè)為突破口

一、背景與核心問(wèn)題

1. 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇

• 美國(guó)、歐盟、日本等通過(guò)《芯片與科學(xué)法案》《歐洲芯片法案》等政策，加大對(duì)本土IC（集成電路）及裝備產(chǎn)業(yè)的補(bǔ)貼與保護(hù)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈面臨重構(gòu)風(fēng)險(xiǎn)。

• 中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)自給率不足20%（2023年數(shù)據(jù)），高端芯片（如7nm以下制程）及裝備（如EUV光刻機(jī)）仍依賴進(jìn)口，存在“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。

2. 北京的戰(zhàn)略定位與資源優(yōu)勢(shì)

• 科技資源密集：聚集清華大學(xué)、北京大學(xué)、中科院微電子所等頂尖科研機(jī)構(gòu)，以及中芯國(guó)際、北方華創(chuàng)等龍頭企業(yè)。

• 政策支持力度大：北京“十四五”規(guī)劃明確提出“建設(shè)國(guó)際科技創(chuàng)新中心”，IC及裝備產(chǎn)業(yè)是重點(diǎn)方向。

• 市場(chǎng)需求旺盛：京津冀地區(qū)集成電路消費(fèi)占全國(guó)30%以上，但本地化供給不足。

二、院士建言的核心邏輯

以IC及IC裝備技術(shù)產(chǎn)業(yè)為突破口，實(shí)現(xiàn)“技術(shù)-產(chǎn)業(yè)-生態(tài)”三位一體突破

1. 技術(shù)突破：聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)

• 裝備領(lǐng)域：突破光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等核心設(shè)備，尤其是28nm以下制程的國(guó)產(chǎn)化。

• 材料領(lǐng)域：發(fā)展光刻膠、大硅片、第三代半導(dǎo)體材料（如碳化硅、氮化鎵）。

• 設(shè)計(jì)領(lǐng)域：支持RISC-V架構(gòu)、EDA工具等自主化，減少對(duì)ARM、Synopsys等海外技術(shù)的依賴。

2. 產(chǎn)業(yè)突破：構(gòu)建全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同生態(tài)

• 龍頭企業(yè)牽引：支持中芯國(guó)際、北方華創(chuàng)等擴(kuò)大產(chǎn)能，形成“設(shè)計(jì)-制造-封裝測(cè)試”一體化布局。

• 中小企業(yè)孵化：依托中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園等平臺(tái)，培育100家以上專精特新“小巨人”企業(yè)。

• 應(yīng)用場(chǎng)景驅(qū)動(dòng)：推動(dòng)IC技術(shù)在5G通信、新能源汽車、人工智能等領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用。

3. 生態(tài)突破：打造創(chuàng)新要素集聚高地

• 人才引育：設(shè)立“集成電路卓越工程師學(xué)院”，吸引全球頂尖人才，培養(yǎng)10萬(wàn)名產(chǎn)業(yè)人才。

• 資本賦能：設(shè)立千億級(jí)集成電路產(chǎn)業(yè)基金，支持初創(chuàng)企業(yè)融資與并購(gòu)。

• 國(guó)際合作：在“安全可控”前提下，與ASML、應(yīng)用材料等國(guó)際企業(yè)開(kāi)展技術(shù)合作。

三、實(shí)施路徑與政策建議

1. 短期（2024-2025年）：夯實(shí)基礎(chǔ)，突破“卡脖子”環(huán)節(jié)

• 對(duì)關(guān)鍵設(shè)備研發(fā)給予30%以上的財(cái)政補(bǔ)貼；

• 對(duì)首臺(tái)（套）裝備采購(gòu)給予稅收減免。

• 推動(dòng)28nm光刻機(jī)、12英寸大硅片量產(chǎn)；

• 建設(shè)國(guó)家級(jí)EDA創(chuàng)新中心，實(shí)現(xiàn)部分工具國(guó)產(chǎn)化替代；

• 培育5家以上營(yíng)收超百億元的IC裝備企業(yè)。

• 重點(diǎn)任務(wù)：

• 政策工具：

2. 中期（2026-2027年）：構(gòu)建產(chǎn)業(yè)集群，提升國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力

• 對(duì)并購(gòu)海外企業(yè)給予貸款貼息；

• 對(duì)出口企業(yè)給予匯率風(fēng)險(xiǎn)補(bǔ)償。

• 建成3-5個(gè)國(guó)家級(jí)IC產(chǎn)業(yè)基地，形成“一核多園”布局；

• 推動(dòng)14nm及以下制程量產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)化率提升至40%；

• 支持企業(yè)并購(gòu)海外技術(shù)團(tuán)隊(duì)，快速補(bǔ)齊短板。

• 重點(diǎn)任務(wù)：

• 政策工具：

3. 長(zhǎng)期（2028-2030年）：引領(lǐng)全球技術(shù)變革，打造“中國(guó)芯”品牌

• 設(shè)立國(guó)家級(jí)IC產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合體；

• 對(duì)顛覆性技術(shù)給予“一事一議”支持。

• 突破EUV光刻機(jī)、第三代半導(dǎo)體等前沿技術(shù)；

• 培育2-3家全球TOP10 IC企業(yè)；

• 推動(dòng)中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)成為全球IC產(chǎn)業(yè)新規(guī)則。

• 重點(diǎn)任務(wù)：

• 政策工具：

四、挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略

1. 技術(shù)挑戰(zhàn)：EUV光刻機(jī)等核心設(shè)備研發(fā)周期長(zhǎng)、投入大

• 應(yīng)對(duì)：聯(lián)合中科院、清華、華為等組建“國(guó)家隊(duì)”，采用“揭榜掛帥”機(jī)制，集中攻關(guān)。

2. 人才挑戰(zhàn)：高端人才短缺，流失風(fēng)險(xiǎn)高

• 實(shí)施“集成電路人才安居工程”，提供住房、子女教育等保障；

• 設(shè)立“院士工作站”，吸引海外頂尖人才兼職。

• 應(yīng)對(duì)：

3. 市場(chǎng)挑戰(zhàn)：國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)激烈，本土企業(yè)市場(chǎng)份額低

• 通過(guò)政府采購(gòu)、首臺(tái)（套）政策扶持本土企業(yè)；

• 推動(dòng)京津冀地區(qū)建立“國(guó)產(chǎn)IC優(yōu)先采購(gòu)目錄”。

• 應(yīng)對(duì)：

五、預(yù)期成效與戰(zhàn)略意義

1. 經(jīng)濟(jì)價(jià)值

• 到2030年，北京IC及裝備產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破5000億元，帶動(dòng)全國(guó)產(chǎn)業(yè)規(guī)模超2萬(wàn)億元。

2. 戰(zhàn)略價(jià)值

• 實(shí)現(xiàn)高端芯片及裝備自主可控，保障國(guó)家信息安全；

• 推動(dòng)中國(guó)從“IC消費(fèi)大國(guó)”向“IC強(qiáng)國(guó)”轉(zhuǎn)型，提升全球產(chǎn)業(yè)鏈話語(yǔ)權(quán)。

3. 社會(huì)價(jià)值

• 創(chuàng)造50萬(wàn)個(gè)以上高技術(shù)崗位，推動(dòng)京津冀協(xié)同發(fā)展；

• 培育一批具有國(guó)際影響力的科技領(lǐng)軍企業(yè)。

六、總結(jié)

北京以IC及IC裝備技術(shù)產(chǎn)業(yè)為突破口，是應(yīng)對(duì)全球科技競(jìng)爭(zhēng)、保障產(chǎn)業(yè)鏈安全、推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展的必然選擇。通過(guò)“技術(shù)攻關(guān)-產(chǎn)業(yè)集群-生態(tài)構(gòu)建”三位一體戰(zhàn)略，北京有望在“十四五”期間實(shí)現(xiàn)IC產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展，為全國(guó)乃至全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革貢獻(xiàn)“中國(guó)方案”。

關(guān)鍵行動(dòng)建議：

1. 立即啟動(dòng)“EUV光刻機(jī)聯(lián)合攻關(guān)計(jì)劃”；

2. 設(shè)立“集成電路產(chǎn)業(yè)人才特區(qū)”；

3. 推動(dòng)京津冀地區(qū)建立“國(guó)產(chǎn)IC應(yīng)用示范區(qū)”。