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深度解析MOS管的GS波形

來源: 中電網
2020-09-14
類別:技術信息
eye 52
文章創建人 拍明

原標題:深度解析MOS管的GS波形

MOS管的GS波形是指在MOS管的柵極(G)和源極(S)之間的電壓隨時間變化的波形,通過柵源極之間的電壓來控制電路中MOS管的開關狀態,對MOS管在不同工作狀態下的特性以及設計電路的性能有很大影響。

一、GS波形的作用

GS波形在MOS管工作過程中控制MOS管的導通和截止。當GS波形的幅度大于MOS管閾值電壓時,MOS管會導通;當GS波形的幅度小于MOS管閾值電壓時,MOS管會截止。

二、GS波形的影響

  1. 開關速度:GS波形的上升和下降時間過長,會導致MOS管的開關速度變慢,影響工作效率。

  2. 器件異常或損壞:若GS波形的幅度過大或者過小,同樣會導致MOS管的異常或損壞。

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三、GS波形在不同工作狀態下的表現

  1. 開關狀態:當柵極電壓高于源極電壓時,MOS管導通,電流流過,GS波形為高電平。

  2. 導通狀態:MOS管導通時,電流流過,GS波形應該是一個穩定的直流電壓,這里的電壓大小取決于柵極電壓和源極電壓之間的差值。

  3. 截止狀態:當柵極電壓低于源極電壓時,MOS管截止,沒有電流流過,GS波形為低電平。

四、GS波形振蕩現象及消除方法

  1. 振蕩現象:在測試功率MOS管的GS端波形時,采用高壓差分探頭或普通無源探頭,出來波形在開通米勒和關斷米勒平臺處可能會出現震蕩。這個振蕩是由R1(驅動電阻)、L1(PCB上走線的寄生電感)和C1(MOS管GS的寄生電容)三個元器件的串聯振蕩引起的。對于一個RLC串聯諧振電路,其中L1和C1不消耗功率,電阻R1起到阻尼作用。當R1小于2倍的(L1/C1)的平方根時,電路處于欠阻尼狀態,一定會發生振蕩。

  2. 消除方法

    • 增大電阻R1:使R1大于或等于2倍的(L1/C1)的平方根,來消除振蕩。但增大R1會降低電源效率,一般選擇接近臨界的阻值。

    • 減小PCB走線寄生電感:在布局布線中要注意走線的長度,整個驅動回路的長度越短越好。

    • 增大C1:C1的增大會使開通時間大大加長,一般不采用這種方法。


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標簽: MOS管

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