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亞芯電子創(chuàng)建于2006年，國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，深圳市高新技術(shù)企業(yè)主營(yíng)半導(dǎo)體及集成電路研發(fā)。亞芯電子專注于功率器件，DC-DC BLDC 實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新，穩(wěn)定，高效率，低成本整體解決方案，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的努力，已經(jīng)成為具備低壓，中壓，系列大功率POWER MOSFET分立器件研發(fā)生產(chǎn)能力。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)，消費(fèi)類(lèi)電子，LCD/LED顯示器，通訊電源，工業(yè)電源，以及太陽(yáng)能，風(fēng)能，鋰電等新能源產(chǎn)業(yè)。

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射頻用FET/MOSFET

N溝道 VDS=30V VGS=±12V ID=4A P=1.4W

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P溝道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-2.6A P=1.4W

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射頻用FET/MOSFET

N溝道 VDS=40V VGS=±20V ID=150A P=208W

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射頻用FET/MOSFET

N溝道 VDS=30V VGS=±20V ID=5A P=1.4W

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射頻用FET/MOSFET

2N溝道 VDS=60V VGS=±20V ID=15A P=30W 2通路

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射頻用FET/MOSFET

P溝道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-12A P=3.1W

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射頻用FET/MOSFET

30V /40A單N功率MOSFET

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2P溝道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-9A P=2W 2通路

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2N溝道 VDS=20V VGS=±12V ID=7.6A P=2W 2通路

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N溝道 VDS=30V VGS=±20V ID=83A P=36W

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30V/60A單N功率MOSFET

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