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關于VBSEMI

							VBSEMI
						

深圳市微碧半導體有限公司成立于2003年春，是一家集場效應管的芯片開發、封裝生產、銷售服務為一體的創新型民營企業，企業以微碧品牌系列產品為核心，積極批量開發、并根據不同客戶要求，為客戶量身定制高、中、低壓場效應管；企業主要產品的封裝有：SOP-8 、TO-220（F）、TO-263、TO-247、TO-252、TO-251、SOT-23、SOT-223、SOT-89、QFN等系列封裝產線，廣泛應用于無人機、快充、通訊、醫療設備、小家電、家電控制板、電腦主板顯卡、MP3 MP4 MP5PMP播放器，MIDUMPC 、GPS、藍牙耳機、PDVD、車載DVD、汽車音箱、液晶顯示器、移動電源、手機電池（鋰電池保護板）、LED電源等產品，十多年來，企業歷盡風霜雪雨，贏得了廣大客戶的信賴和支持。

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STS5DNF60L-VB 場效應管(MOSFET) VBSEMI SOP-8 60V 7A 40mΩ@10V,7A 2個N溝道

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STS7NF60L-VB 場效應管(MOSFET) VBSEMI SOP-8 60V 12.6A 12mΩ@10V,12.6A N溝道

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SPU04N60C3-VB 場效應管(MOSFET) VBSEMI TO-251 650V 4.5A 60W 2.1Ω@10V,3.1A 4V@250uA N溝道

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UT2955G-VB 場效應管(MOSFET) VBSEMI TO-252 60V 30A 61mΩ@10V,30A P溝道

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其他晶體管

STS4NF100-VB 場效應管(MOSFET) VBSEMI SOP-8 100V 6.4A 40mΩ@10V,6.4A N溝道

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射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=4.0A SOT-23-6 類型：P溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續漏極電流(Id)：4A 功率(Pd)：2W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4.1A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=5.5A,3.4A SOT23-6 類型 N+P溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續漏極電流(Id)：5.5A 功率(Pd)：1.15W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,2.5A；55mΩ@10V,1.8A閾值電壓(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA; 0.7V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：2.1nC@5V；2.4nC@5V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=5.3A SOT23-3 類型 N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續漏極電流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.7W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.2A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：4.5nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds)：335pF@15V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：17pF@15V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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0.326297

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射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=5.8A SOP8 類型：P溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續漏極電流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,5.8A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：16nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds)：- 反向傳輸電容(Crss@Vds)：- 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=6.2A SOP-8 類型 N+N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續漏極電流(Id)：6.8A 功率(Pd)：2.7W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,5A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：15nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds)：586pF@15V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：55pF@15V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 類型 P溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續漏極電流(Id)：5A 功率(Pd)：2.5W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.1A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：835pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：155pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=3.6A TSOP-6 類型 P+P溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續漏極電流(Id)：4A 功率(Pd)：1.4W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@4.5V,2.5A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：5.2nC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：210pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：33pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=1.4A SC70-3 類型：P溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續漏極電流(Id)：3.1A 功率(Pd)：500mW 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@4.5V,1.4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：2.7nC@2.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：272pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：44pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=60V Id=250mA SOT23-3 ：類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：60V 連續漏極電流(Id)：250mA 功率(Pd)：300mW 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,200mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：400pC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：25pF@25V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：2pF@25V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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SI2318DS-T1-GE3

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SOT23-3 類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續漏極電流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.7W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.2A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

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Vds=20V Id=2.3A SC70-6 類型 N+N溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續漏極電流(Id)：2.6A 功率(Pd)：2.7W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：86mΩ@4.5V,1A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：5nC@8V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=5.5A TSOP-6 類型 N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續漏極電流(Id)：6A 功率(Pd)：2.5W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@10V,5.5A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：8.2nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds)：424pF@15V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：42pF@15V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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SI2300DS-T1-GE3

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=5A SOT23-3 類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續漏極電流(Id)：6A 功率(Pd)：2.1W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,5A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：8.8nC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：865pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：55pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

SOT-23-3 類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續漏極電流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.7W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.2A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

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Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 類型 P溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續漏極電流(Id)：5A 功率(Pd)：2.5W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.1A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：835pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：155pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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