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深圳市銳駿半導體股份有限公司是一家半導體產品、電子產品的設計、技術開發與銷售科技公司，由黃澤軍先生創立，總部位于深圳市南山區高新科技園。銳駿公司是中國領先的半導體和電子技術解決方案供應商，專注MOS、IC領域在半導體產品、電子產品應用領域構筑了系統的解決方案，為經銷商客戶、終端客戶和消費者提供有競爭力的MOS、IC解決方案、產品和服務，并致力于推動國產半導體事業，矢志成為中國最大的功率半導體設計、技術開發公司。主要產品包括：高中低壓MOS管、肖特基二極管、開關穩壓管、電源管理芯片。

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產品分類：

射頻用FET/MOSFET

場效應管(單) PDFN3333 P溝道 VDS=-20V VGS=±10V ID=-9.3A P=3.5W

最新賣價	包裝	應用	系列	電壓電源	工作溫度	封裝外殼

產品分類：

射頻用FET/MOSFET

P溝道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-4A P=1.3W

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產品分類：

其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：30A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導通電阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29W(Tc) 類型：N溝道

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其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：3.5A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導通電阻：80mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 類型：P溝道

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其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：100A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：4mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：126W(Tc) 類型：N溝道

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產品分類：

射頻用FET/MOSFET

場效應管(單) N溝道 VDS=40V VGS=±20V ID=190A(Tc) P=300W(Tc)

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產品分類：

射頻用FET/MOSFET

場效應管(單) TO263 N溝道 VDS=40V VGS=±20V ID=190A(Tc) P=300W(Tc)

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產品分類：

其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：3A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導通電阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 類型：P溝道

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其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：12A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導通電阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 類型：N溝道

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1.1865

產品分類：

其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：40A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：25mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W(Tc) 類型：N溝道

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射頻用FET/MOSFET

P溝道 VDS=-20V VGS=±10V ID=-5A P=1.3W

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產品分類：

FET/MOSFET 陣列

晶體管 - FET，MOSFET RU1H130S-R MOS(場效應管) TO-263-2

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驅動器/收發器/接收器/控制器

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其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：32A 漏源電壓（Vdss）：-40V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導通電阻：25mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 類型：P溝道

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其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：80A 漏源電壓（Vdss）：75V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W 類型：N溝道

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其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：140A 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：2.5mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 類型：N溝道

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其他晶體管

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其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：80A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：75V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：158W(Tc) 類型：N溝道

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其他晶體管

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其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：110A 漏源電壓（Vdss）：75V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：7mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 類型：N溝道

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連續漏極電流（Id）（25°C 時）：62A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 類型：N溝道

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射頻用FET/MOSFET

場效應管(單) PDFN5060 N溝道 VDS=60V VGS=±25V ID=18A P=4.2W

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連續漏極電流（Id）（25°C 時）：6A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1.5V @ 250uA 漏源導通電阻：22mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 類型：雙N溝道

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連續漏極電流（Id）（25°C 時）：120A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 類型：N溝道

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其他晶體管

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：88A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：68V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：8mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 類型：N溝道

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連續漏極電流（Id）（25°C 時）：40A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.8V @ 250uA 漏源導通電阻：8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 類型：N溝道

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射頻用FET/MOSFET

場效應管(陣列) SOP-8 2N溝道 VDS=30V VGS=±16V ID=18A P=2.5W 2通路

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