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N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M

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P-30V, -9A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-2

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N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M

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N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V

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P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T

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N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1

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N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@

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N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

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P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26

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MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L

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0.428028

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：120A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導通電阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 類型：N溝道

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3.80911

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：7A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.1V @ 250uA 漏源導通電阻：20.5mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 類型：P溝道

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0.31164

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：96mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 類型：P溝道

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連續漏極電流（Id）（25°C 時）：3A 漏源電壓（Vdss）：190V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：540mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道

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1.177024

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連續漏極電流（Id）（25°C 時）：4.2A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.3V @ 250uA 漏源導通電阻：55mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 類型：P溝道

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0.3392

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：3A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導通電阻：110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 類型：P溝道

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0.16059

連續漏極電流（Id）（25°C 時）：5.6A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1.1V @ 250uA 漏源導通電阻：40mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 類型：P溝道

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連續漏極電流（Id）（25°C 時）：90A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：45V 柵源極閾值電壓：2.2V @ 250uA 漏源導通電阻：6mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc) 類型：N溝道

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